一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件

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应用场景：5G通信基站功率放大；新能源汽车车载充电系统；工业电源高频逆变；电力传输与能源转换领域

摘     要：本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化层，SiN钝化层左右布设在栅极两侧，且与栅极之间具有一段距离；所述栅极包括栅帽，所述栅帽的中心位置固定连接有栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。本实用新型通过设置的栅极结构，通过小基足构成短栅长，同时用大横截面积，最小化栅极电阻和极间电容Cgd，从而能够提高器件的频率特性。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

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  发布日期