咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201510695617.4 | 专利名称： | 基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构 |
| 申请日： | 2015-10-23 | 申请/专利权人 | 南京信息工程大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南京市浦口区宁六路219号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | G01L1/18 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2018-05-29 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN105181189B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 5 | 所属领域： | 半导体器件制造 纳米材料应用 传感器技术专利转让搜索 |
应用场景：消费电子（如触控屏压力感知）；医疗健康监测（如可穿戴设备血压检测）；工业自动化（如微力测量）
摘 要：本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2024203545818 | 【实用新型】一种用于电能表内断路器的分合闸控制电路及系统 | 2025/10/09 |
| 2020105233855 | 【发明】一种利于提升使用寿命与可靠性的功放电源系统 | 2025/10/09 |
| 2020207575462 | 【实用新型】一种具有隔热功能的变频柜 | 2025/09/29 |
| 2019222739998 | 【实用新型】一种散热效果好的变频柜 | 2025/09/29 |
| 2023209189615 | 【实用新型】基于Bipolar工艺变压器隔离MOSFET驱动器 | 2025/10/09 |
| 2023209208476 | 【实用新型】基于Bipolar工艺的MOSFET驱动器电路、驱动芯片及电子设备 | 2025/10/09 |
| 2021221140290 | 【实用新型】一种散热效果好的IGBT高压开关 | 2025/09/24 |
| 2024207321426 | 【实用新型】一种具有防过载功能的变频控制柜 | 2025/09/17 |
| 2022220783273 | 【实用新型】一种低成本防干烧多雾化片电路驱动结构 | 2025/09/12 |
| 2022223235783 | 【实用新型】一种新型LED舞台灯光开关电源 | 2025/09/10 |
