发明专利已授权

基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构

📄 申请号：CN201510695617.4 📄 发布日：2025/10/15

著录项目信息

申请日

2015-10-23

公开号

CN105181189B

公开日

2018-05-29

申请人

南京瑞菲科机电科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G01L1_18

IPC 分类号

G01L1_18 , B82Y40_00 , B82Y15_00 ,

技术画像

所属领域

压力传感器硅纳米线传感器压阻式传感器传感器封装技术压力传感力传感器压力传感器

应用场景

工业自动化, 汽车电子, 医疗设备, 消费电子, 物联网

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摘要

本发明公开了一种基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，包括：壳体、传感器芯片，所述传感器芯片包括：硅纳米线巨压阻敏感结构、硅底层、绝缘二氧化硅层、硅顶层；所述硅纳米线巨压阻敏感结构包括多根硅纳米线、受力应变薄膜层、多块电极，所述多根硅纳米线包括四对平行设置的两根硅纳米线，所述四对平行设置的两根硅纳米线分别连接在四块电极与受力应变薄膜层之间；所述硅纳米线在绝缘二氧化硅层对应位置处设置有通槽。本发明提供的基于巨压阻特性的硅纳米线压力传感器及其封装结构，通过外部环境气压引起传感器芯片形成机械应力改变硅纳米线导电沟道的空穴浓度巨减，甚至夹断来实现巨压阻效应。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

图像金字塔特征指导的多尺度目标检测方法

当前第 / 件

基于结构化网络的人体运动数据压缩和恢复方法以及系统

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