发明专利已授权

一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

📄 申请号：CN201710858499.3 📄 发布日：2026/05/14

著录项目信息

申请日

2017-09-21

申请人

浙江知多多网络科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L29_786

IPC 分类号

H01L29_786 , H01L21_34 ,

技术画像

所属领域

金属氧化物半导体金属氧化物半导体薄膜晶体管半导体器件

应用场景

平板显示, 液晶显示驱动, AMOLED显示, 柔性电子, 透明电子器件

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摘要

本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上，金属氧化物沟道层设置在源电极上，漏电极设置在金属氧化物沟道层上，栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的，且栅电极包埋在栅介质层中，栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中；所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层，且栅介质层与栅介质层之间相互隔开，形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制，同时由于多沟道的并联作用，可实现低工作电压下的高输出电流。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20231121

?? 专利权的转移：

20201023

✅ 授权

20180202

?? 实质审查的生效：

20171208

📄 公开

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：43 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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