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摘 要:本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上,金属氧化物沟道层设置在源电极上,漏电极设置在金属氧化物沟道层上,栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的,且栅电极包埋在栅介质层中,栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中;所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层,且栅介质层与栅介质层之间相互隔开,形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制,同时由于多沟道的并联作用,可实现低工作电压下的高输出电流。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201710858499.3 | 专利名称: | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
申请日: | 2017-09-21 | 申请/专利权人 | 中国计量大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市江干区学源街258号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/786搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |