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| 专利/申请号： | CN201710858499.3 | 专利名称： | 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| 申请日： | 2017-09-21 | 申请/专利权人 | 中国计量大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市江干区学源街258号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/786 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 10 | 所属领域： | 塑料 金属氧化专利转让搜索 |
应用场景：有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)背板驱动;可穿戴设备用柔性显示屏;高分辨率液晶显示器(LCD)像素控制;透明电子器件开发;物联网传感器节点信号处理
摘 要：本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。其中源电极设置在衬底上，金属氧化物沟道层设置在源电极上，漏电极设置在金属氧化物沟道层上，栅电极和栅介质层是通过原位氧化形成的，且栅电极包埋在栅介质层中，栅介质层包埋在金属氧化物沟道层中；所述的一种金属氧化物薄膜晶体管具有不少于2个栅介质层，且栅介质层与栅介质层之间相互隔开，形成载流子由下至上的多导电沟道。本发明提供的金属氧化物薄膜晶体管一方面可突破传统工艺对尺寸的限制，同时由于多沟道的并联作用，可实现低工作电压下的高输出电流。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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