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24小时咨询热线摘 要：本发明提供了一种n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件及其制备方法：采用热丝化学气相沉积法在p型(100)面单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜注入磷离子，得到的异质结置于低压环境下，800‑1000℃温度下退火10‑50分钟，然后在纳米金刚石薄膜一侧沉积钛/金电极并真空退火，再在p型单晶硅一侧制作铟电极，即制得所述n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件。本发明通过对纳米金刚石薄膜进行磷离子注入，并进行低压退火处理，得到电学性能优异的n型电导层，较氮掺杂、磷掺杂单晶金刚石的电学性能有了显著提升；获得了整流性能良好的pn结原型器件。
著 录 项：
| 专利/申请号： | CN201510151263.7 | 专利名称： | 一种n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件及其制备方法 |
| 申请日： | 2015-03-31 | 申请/专利权人 | 浙江工业大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/04搜分类 塑料 硅 P 器件 纳米 单晶搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 面议 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2017/12/05 | 授权 | |
| 2015/09/30 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 21/04 专利申请号: 201510151263.7 申请日: 2015.03.31 |
| 2015/09/02 | 公开 |
