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| 专利/申请号： | CN202321736470.5 | 专利名称： | 一种硅片氧化层去除装置 |
| 申请日： | 2023-07-04 | 申请/专利权人 | 苏州惠力达半导体材料有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度假区(太湖新城)胜信路23号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/311 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2023-12-26 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN220253173U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 36 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型公开了一种硅片氧化层去除装置，涉及半导体加工技术领域，包括直角顶板和底部箱体，所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上，所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔，所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器，所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座，所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组，所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框，所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。本实用新型通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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