实用新型已授权

一种硅片氧化层去除装置

📄 申请号：CN202321736470.5 📄 发布日：2025/12/08

著录项目信息

申请日

2023-07-04

公开号

CN220253173U

公开日

2023-12-26

申请人

苏州惠力达半导体材料有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L21_311

IPC 分类号

H01L21_311 , H01L21_67 , H01L21_687 ,

技术画像

所属领域

半导体制造半导体制造湿法刻蚀晶圆表面处理

应用场景

半导体芯片制造, 集成电路制造, 晶圆加工

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摘要

本实用新型公开了一种硅片氧化层去除装置，涉及半导体加工技术领域，包括直角顶板和底部箱体，所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上，所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔，所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器，所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座，所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组，所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框，所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。本实用新型通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动，使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙，这样在浸泡时更加充分全面。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20231226

✅ 授权

一种基板抛光装置

当前第 / 件

一种推杆炉上料顶进装置

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_311)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

¥2300.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：102 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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