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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202321736470.5 | 专利名称: | 一种硅片氧化层去除装置 |
申请日: | 2023-07-04 | 申请/专利权人 | 苏州惠力达半导体材料有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 江苏省苏州市吴江区东太湖生态旅游度假区(太湖新城)胜信路23号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/311分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2023-12-26 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN220253173U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本实用新型公开了一种硅片氧化层去除装置,涉及半导体加工技术领域,包括直角顶板和底部箱体,所述直角顶板安装固定在底部箱体的上端位置上,所述底部箱体的上端左侧设置有氧化浸泡腔,所述底部箱体的上端右侧设置有干燥处理器,所述底部箱体的下端中间设置有支撑放置座,所述直角顶板的顶端中间设置有直线丝杠导轨模组,所述直线丝杠导轨模组的下端设置有升降浸泡收纳框,所述升降浸泡收纳框的下端内侧设置有硅片本体。本实用新型通过升降浸泡收纳框上端直线丝杠导轨模组的左右摆动,使得升降浸泡收纳框下端内侧的硅片本体可以晃动分离产生间隙,这样在浸泡时更加充分全面。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |