专利名称：一种单晶金刚石的磨粒装置     申请号：2024217164309     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2025/02/28  

专利名称：一种冷却单晶炉      申请号：2024214047943     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/11/13  
摘要： 本实用新型公开了一种冷却单晶炉，包括炉体和保护壳，炉体上端面固定连接有固定环，固定环侧壁固定连接有四个周向分布的限位块，保护壳内设有上侧开口的保护腔，保护腔侧壁周向分布四个与限位块上下位置对应的滑槽，滑槽滑动连接限位块；保护壳左右两侧分别设有一个支撑板，支撑板上端面固定连接有冷却板，冷却板内设有环绕贯穿冷却板的冷却管，冷却管内通入冷却水能够对冷却板进行降温，在炉体使用完成需要降温时，通过冷却板与炉体接触，对炉体进行散热，并且通过冷却板的相互靠近和远离，能够使得冷却板靠近或远离炉体，避免在炉体使用时热量对冷却板造成损坏。

专利名称：一种单晶炉晶棒提取工装      申请号：2024206733147     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/11/12  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉取棒工装技术领域，具体为一种单晶炉晶棒提取工装，包括晶棒与外壳，外壳内开设有开腔，开腔内设有能够前后滑动的推块，推块上固设有向前延伸的拉杆，拉杆的前端固设有把手，开腔的两个后端开口处均固设有固定杆，两个固定杆上均转动连接有夹爪，夹爪向后延伸设有贴合端能够与晶棒的周面贴合，夹爪的后端转动连接有抵接轮与推块的端面抵接，固定杆与夹爪之间连接设有两个上下设置的扭筒，外壳的后端固设有支撑板，通过左右两个夹爪的后端夹持晶棒的周面，并在支撑板的支撑下，保持对不同尺寸的晶棒处的夹持，从而实现在单人作业下对不同半径型号的晶棒进行夹持工作的完成度，取棒起来更加省时省力，方便快捷。

专利名称：一种单晶硅切割机测试工作台      申请号：2022222963711     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及切割机测试装置技术领域，公开了一种单晶硅切割机测试工作台，包括底座，所述底座下端面两侧靠前后处均固定开设有安装槽，四个所述安装槽的内部均固定设置有气缸，所述底座的两侧靠前后处均固定连接有连接板，四个所述连接板内均螺纹套设有内螺纹杆，四个所述内螺纹杆的上端均固定连接有转头，四个所述内螺纹杆的下端均固定连接有吸盘，所述底座的上端面中心处固定开设有驱动槽，所述驱动槽的内部固定设置有一号驱动电机，所述一号驱动电机的输出端固定连接有转动板。本实用新型中，可以达到更好的稳定固定的作用，同时也可以达到对工作板的角度调节作用以及间距调整，具有更好的使用效果。

专利名称：一种PVT法SiC单晶生长坩埚      申请号：2023233779270     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：纳米材料 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及SiC单晶生长技术领域，尤其为一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括第一外坩埚、第二外坩埚和内坩埚，所述第二外坩埚顶部开设有控温孔，所述第二外坩埚内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条，所述第二外坩埚内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座。本实用新型中，通过设置的第一外坩埚、第二外坩埚、冷却管、内坩埚底座和内坩埚顶座，通过控温孔测量结晶处的温度，并进行控制，内坩埚底部与籽晶处需要存在一定的温差，来保证结晶的质量，通过向冷却管内循环通入冷却介质带走热量，可以确保温差，提高结晶质量。

专利名称：一种单晶炉及其生长装置      申请号：202323561581X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/11/12  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其为一种单晶炉及其生长装置，包括装置外壳，所述装置外壳的内部固定连接有气动伸缩杆，所述气动伸缩杆分布于装置外壳的侧壁及顶部，所述气动伸缩杆的延伸端固定连接有柔性按压球，所述装置外壳的内部固定连接有坩埚，所述柔性按压球与坩埚挤压贴合，所述坩埚侧壁的内部呈螺纹状固定连接有螺纹导热丝，所述装置外壳的顶部转动连接有可翻转密封框，通过设置的气动伸缩杆能够实现对坩埚的挤压固定，同时底部的气动伸缩杆能够实现坩埚的升降，通过设置的进气机构能够实现在设备停运时由吸尘风扇对设备内部进行除尘。

专利名称：一种垂直提拉式的单晶炉      申请号：2024208579670     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种垂直提拉式的单晶炉，内设有主箱体，主箱体上端面固定设有加热坩埚，加热坩埚成圆柱状设置，主箱体上端面转动设有升降轴，升降轴外圆面设有能上下运动的导向机架，导向机架与升降轴螺纹配合，导向机架内圆面固定设有围绕加热坩埚的环形均匀分布的多组喷火枪，主箱体上端面固定设有防护机架，防护机架上侧转动设有转动机架，转动机架内设有开口向下的滑动腔，从而喷火枪产生的火焰对于加热坩埚环形四周进行加热，从而确保了对于储存腔内多晶材料的不同角度且同时加热，从而加快了多晶材料的溶解速度，进一步提升了晶体析出的速度，进而确保了工作与生产的效率，进而确保了单晶炉的实用性。

专利名称：一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构      申请号：2023233779266     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及碳化硅单晶技术领域，尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构包括第一线圈筒，所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环，所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环，所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本实用新型中，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强。

专利名称：一种单晶高熵陶瓷粉体及其制备方法      申请号：2021115268840     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：陶瓷 单晶   相似专利 发布日：2024/07/25  
摘要： 本发明公开一种单晶高熵陶瓷粉体及其制备方法，粉体具有空心球状结构，其化学式为A2B2O7，A位为三价稀土元素，B位为四价金属元素；三价稀土元素为镧、钕、钐、铕、钆、镝、钬、铒、镱、钇或镥；四价金属元素为钛、铈、锡、锆或铪。制备方法为：步骤A：将三价稀土元素的硝酸盐和四价金属元素的醋酸盐混合，得到混合固体粉末；步骤B：向混合固体粉末中加入去离子水，搅拌混匀，得到混合分散体系；步骤C：将混合分散体系用标准筛过滤，除去未溶解的杂质，得到混合液；步骤D：用三电极等离子喷枪将混合液均匀喷入水中，喷入水中的混合液经过自然沉降后离心干燥。本发明的制备方法操作简单，制备的粉体相对均匀且不容易发生团聚。

专利名称：一种PVT法碳化硅单晶生长装置      申请号：2023232969901     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：生长 单晶   相似专利 发布日：2024/08/26  
摘要： 本实用新型提供一种PVT法碳化硅单晶生长装置，包括用于PVT法碳化硅单晶生长的PVT炉体以及废物处理箱，PVT炉体左侧下方安装有废物处理箱，废物处理箱上方设有废物入口，废物处理箱内部上方设置有两个转轴，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过设置驱动电机、转轴、转动辊以及粉碎齿，能够便于对大块的固体废弃物进行粉碎，粉碎后的固体废弃物能够便于收集，粉碎后的固体废弃物更容易进行后续处理，例如进行再利用，破碎后的废弃物通常更容易分离和处理其中有价值的成分，从而减少资源浪费，通过设置收集转运箱、转运轮、对接槽、固定铁片以及磁吸片，能够便于收集粉碎后的固体废弃物，且在收集后能够便于将其转运。

专利名称：一种单晶硅双玻组件      申请号：2022222647907     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/11/07  
摘要： 本实用新型公开了一种单晶硅双玻组件，包括电池板组件、第一玻璃板、第二玻璃板、框架组件、限位托底结构以及限位压紧结构，所述电池板组件位于第一玻璃板和第二玻璃板之间，所述第一玻璃板位于电池板组件的上方处，所述第二玻璃板位于电池板组件的下方处，所述电池板组件与第一玻璃板之间设有第一胶膜层，所述电池板组件与第二玻璃板设有第二胶膜层，所述框架组件位于电池板组件、第一玻璃板以及第二玻璃板的外部四周处。本实用新型可以有效的避免内部组件与框架组件之间出现脱落分离的情况，从而有效的避免了内部组件因风力影响而产生震动，继而有效的避免了造成内部组件的损坏而影响到其正常的使用，实用性较高。

专利名称：一种超细单晶钯纳米线的制备方法      申请号：2015108482346     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米线 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种超细单晶钯纳米线，它是一种钯金属直径5nm、长度约3微米的一维钯纳米线单晶材料。上述超细单晶钯纳米线的制备方法主要是通过中空结构的胰岛素纤维作生物模板，与PdCl2金属前驱体液及NaI溶液混合均匀，装入聚四氟乙烯内衬的水热釜中，在温度为150～250℃情况下加热1～5h，再将加热后的混合溶液经过8000～12000r/min的离心处理10分钟，并用乙醇进行清洗，去除模板蛋白，得到超细单晶钯纳米线。本发明直接采用自然界存在的生物模板做为贵金属钯的生长载体，且纤维自带的活性基团在水热条件下对Pd具有一定的还原作用，其方法简单、节省材料、重复性高，更容易实现大规模生产。

专利名称：1nm超薄管壁两端开口超细单晶铂纳米管的制备方法      申请号：201711114722X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米 纳米管 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种1nm超薄管壁两端开口超细单晶铂纳米管，它是一种具有5.5nm超细直径、1nm超薄管壁、数十微米长度且中空两端开口的单晶Pt纳米管；上述超细单晶铂纳米管的制备方法主要是将Pd纳米线粉末和乙二醇溶液放入容器，搅拌后滴加氯铂酸溶液，搅拌后离心处理，并用乙醇‑丙酮溶液清洗两次、烘干，得到Pd@Pt核壳结构纳米线粉末；将Pd@Pt纳米线粉末和三氯化铁溶解在盐酸溶液中，磁力搅拌后，将混合液经过离心处理，并用盐酸溶液清洗两次，得到1nm超薄管壁两端开口超细单晶铂纳米管。本发明制备方法简单，制得的铂纳米管具有超细直径、超薄管壁、超长度、单晶结构，具有超高的活性比表面积，在燃料电池正极氧还原反应中表现出很高的催化活性。

专利名称：一种高压亚稳相Al21Pd8单晶颗粒的制备方法      申请号：2017106228477     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：P L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种高压亚稳相Al21Pd8单晶的制备方法，所述Al21Pd8单晶的化学成分的原子配比为：Al 72‑86％、Pd 14‑28％，将高纯Al粉、Pd粉研磨混合均匀后装入硬质合金模具中，在液压压片机中2‑3MPa下加压100‑200s，制得预备块体；将预压块体装入氮化硼坩埚中；随后与预烘干的管状石墨炉体、氮化硼坩埚、氮化硼片、叶腊石片以及石墨片组装并一同放置于六面顶压机中，设定压力为3‑5GPa，加热至825‑925℃，保温30‑60min；待温度降至550‑650℃，保温2‑4h。本发明工艺简单、可操作性强、设备为常规设备、时间消耗少，配合单晶X射线衍射仪及相关软件，能够快速准确的解析出单晶结构，为进一步结构分析性能优化从晶体结构上提供支持。

专利名称：一种Al4Cu9单晶颗粒的制备方法      申请号：2017106221586     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种Al4Cu9单晶颗粒的制备方法，Al4Cu9单晶的化学成分的原子配比为：Al 28‑31％，Cu 69‑72％；其制备方法主要是将高纯Al粉与Cu粉混合均匀后放入硬质合金模具中，利用粉末压片机施加3MPa压力并保持约180s来获得预制块体；将制得的预制块体放入氮化硼坩埚中，将氮化硼坩埚、管状石墨炉、石墨片、氮化硼片按顺序组装后置于六面顶压机中，压力设置在3‑5GPa之间，峰值温度控制在1100℃‑1150℃，保温30min；温度降至800℃‑950℃时保温1‑2h。本发明具有工艺简单，操作方法确实可行，实验设备较为常见等优点，生成单晶质量较好。

专利名称：一种制备Al2Cu双相单晶颗粒的方法      申请号：2018106096561     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种制备Al2Cu双相单晶颗粒的方法，其主要是按原子配比Al:Cu＝85‑86:14‑15的比例，将Al与Cu的高纯混合粉末利用粉末压片机施加2‑3MPa压力并保持180s，获得预制块体；将制得的预制块体放入氮化硼坩埚中，将氮化硼坩埚、管状石墨炉、石墨片、氮化硼片按相应顺序组装后置于六面顶压机中，压力设置在3‑5GPa之间，峰值温度控制在750‑800℃，保温30min；温度降至450‑500℃时保温1‑2h。本发明具有工艺简单，操作方法确实可行，设备简单等优点，生成单晶颗粒质量好颗粒大的优势，应用广泛。

专利名称：一种制备Al3V四方相单晶颗粒的方法      申请号：2018106096294     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：四 L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种制备Al3V四方相单晶颗粒的方法，所述Al3V四方相单晶颗粒原料的化学成分的原子配比为：Al 84‑86％、V 14‑16％，其制备方法主要是将高纯Al粉、V粉研磨混合均匀后装入硬质合金模具中，在液压压片机中3‑5MPa下加压200‑300s，制得预备块体；将预备块体装入氮化硼坩埚中，与预烘干的管状氧化锆，石墨炉体、氮化硼管、氧化锆片、氮化硼片、叶腊石以及石墨片组装并一同置于六面顶压机中，设定压力为3‑5GPa，加热至1340‑1450℃，保温30‑60min；待降至1100‑1200℃，保温1‑2h。本发明工艺简单、能耗低、效率高、可操作性强，实验设备较为常规，配合单晶X射线衍射仪及相关软件，能够快速准确的解析出单晶结构，为结构分析和性能优化从晶体结构上提供支持。

专利名称：一种单晶硅压力变送器的温度补偿改进方法      申请号：202310346490X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及压力变送器领域，公开了一种单晶硅压力变送器温度补偿改进方法。将温度传感器封装在单晶硅压力传感器内部，通过单晶硅压力传感器获取变送器的压力数据；通过温度传感器获取单晶硅压力变送器的温度数据；调整变送器零点，校准压力测量与输出下限。对数据进行预处理，利用插值运算法和查表法，对压力数据以及温度数据进行补偿运算，得到压力和温度数据矩阵；基于压力和温度数据矩阵，利用曲线拟合算法得到补偿模型，进一步利用补偿模型进行变送器的温度自动补偿。与现有技术相比，本发明通过对变送器采集的数据进行标定、分析、拟合，来实现通过温度补偿降低变送器的精度影响因素，同时达到温度自动补偿的效果。

专利名称：一种单晶体石墨法铸件用提纯装置      申请号：202021651869X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：铸造 单晶   相似专利 发布日：2024/09/13  
摘要： 本实用新型公开了一种单晶体石墨法铸件用提纯装置，包括出料仓，所述出料仓的前端靠近底部开设有出料口，所述出料口的数量有四组，所述出料仓的内部底部设置有分料器，所述出料口的前端设置有出料槽，所述出料仓的上端设置有第一连接管，所述第一连接管的上端设置有高温仓，所述高温仓的上端设置有第二连接管，所述第二连接管的上端设置有出水仓，所述出水仓的上端设置有进料口，所述出水仓的内部设置有出水器。本实用新型所述的一种单晶体石墨法铸件用提纯装置，使用方式比较简单，通过四组出料槽进行排出，单晶体石墨通过分料器与出料槽的作用下，可以达到快速排出的目的，大大节省了排出的时间。

专利名称：单晶硅生长用组合式石英坩埚及其制备方法      申请号：2017104712583     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：坩埚 组合 生长 石英坩埚 单晶   相似专利 发布日：2024/08/13  
摘要： 本发明涉及一种单晶硅生长用组合式石英坩埚及其制备方法。所述的组合式石英坩埚包括坩埚外埚体和坩埚内筒体，坩埚外埚体包括外筒部和埚底部，坩埚内筒体由碳纤维烧结筒和围绕碳纤维烧结筒设置的石英烧结材料构成。所述的石英烧结材料为覆盖在碳纤维烧结筒上的石英粉经烧结而成的一体件。所述碳纤维烧结筒是由碳纤维编织并烧结而成的上下贯通的筒状织物。使用时，坩埚内筒体置于坩埚外埚体的内部，且将坩埚外埚体分成晶体生长区和投料化料区内外两个区域。本发明结构简单，可分离杂质，能够实现投料、化料、晶体生长及分离杂质同步进行且高温持续工作时间长。