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专利名称:
一种单晶金刚石的磨粒装置
申请号:
2024217164309
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2025/02/28
摘要: 本实用新型公开了一种单晶金刚石的磨粒装置,属于单晶金刚石技术领域,其中,包括底架,所述底架内侧设置有下磨盘,所述底架顶部固定连接有支撑架,所述支撑架顶部固定连接有固定块,所述固定块一侧固定连接有固定架,所述固定架内部顶部设置有电动推杆,所述电动推杆底端设置有调整板,所述调整板和固定架之间设置有支撑组件,其有益效果是,该单晶金刚石的磨粒装置,通过电动推杆工作,能够带动调整板、调整架、套筒、转轴和上磨盘下降,能够调整上磨盘和下磨盘之间的距离,能够方便根据需求对单晶金刚石磨粒尺寸进行调控,通过设置支撑组件,能够对调整板进行限位支撑,保障调整板在升降移动时的稳定性。
专利名称:
一种冷却单晶炉
申请号:
2024214047943
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
冶金 单晶
相似专利
发布日:2024/11/13
摘要: 本实用新型公开了一种冷却单晶炉,包括炉体和保护壳,炉体上端面固定连接有固定环,固定环侧壁固定连接有四个周向分布的限位块,保护壳内设有上侧开口的保护腔,保护腔侧壁周向分布四个与限位块上下位置对应的滑槽,滑槽滑动连接限位块;保护壳左右两侧分别设有一个支撑板,支撑板上端面固定连接有冷却板,冷却板内设有环绕贯穿冷却板的冷却管,冷却管内通入冷却水能够对冷却板进行降温,在炉体使用完成需要降温时,通过冷却板与炉体接触,对炉体进行散热,并且通过冷却板的相互靠近和远离,能够使得冷却板靠近或远离炉体,避免在炉体使用时热量对冷却板造成损坏。
专利名称:
一种单晶炉晶棒提取工装
申请号:
2024206733147
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
冶金 单晶
相似专利
发布日:2024/11/12
摘要: 本实用新型涉及单晶炉取棒工装技术领域,具体为一种单晶炉晶棒提取工装,包括晶棒与外壳,外壳内开设有开腔,开腔内设有能够前后滑动的推块,推块上固设有向前延伸的拉杆,拉杆的前端固设有把手,开腔的两个后端开口处均固设有固定杆,两个固定杆上均转动连接有夹爪,夹爪向后延伸设有贴合端能够与晶棒的周面贴合,夹爪的后端转动连接有抵接轮与推块的端面抵接,固定杆与夹爪之间连接设有两个上下设置的扭筒,外壳的后端固设有支撑板,通过左右两个夹爪的后端夹持晶棒的周面,并在支撑板的支撑下,保持对不同尺寸的晶棒处的夹持,从而实现在单人作业下对不同半径型号的晶棒进行夹持工作的完成度,取棒起来更加省时省力,方便快捷。
专利名称:
一种单晶硅切割机测试工作台
申请号:
2022222963711
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2024/12/06
摘要: 本实用新型涉及切割机测试装置技术领域,公开了一种单晶硅切割机测试工作台,包括底座,所述底座下端面两侧靠前后处均固定开设有安装槽,四个所述安装槽的内部均固定设置有气缸,所述底座的两侧靠前后处均固定连接有连接板,四个所述连接板内均螺纹套设有内螺纹杆,四个所述内螺纹杆的上端均固定连接有转头,四个所述内螺纹杆的下端均固定连接有吸盘,所述底座的上端面中心处固定开设有驱动槽,所述驱动槽的内部固定设置有一号驱动电机,所述一号驱动电机的输出端固定连接有转动板。本实用新型中,可以达到更好的稳定固定的作用,同时也可以达到对工作板的角度调节作用以及间距调整,具有更好的使用效果。
专利名称:
一种PVT法SiC单晶生长坩埚
申请号:
2023233779270
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
纳米材料 单晶
相似专利
发布日:2024/12/06
摘要: 本实用新型涉及SiC单晶生长技术领域,尤其为一种PVT法SiC单晶生长坩埚,包括第一外坩埚、第二外坩埚和内坩埚,所述第二外坩埚顶部开设有控温孔,所述第二外坩埚内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条,所述第二外坩埚内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座。本实用新型中,通过设置的第一外坩埚、第二外坩埚、冷却管、内坩埚底座和内坩埚顶座,通过控温孔测量结晶处的温度,并进行控制,内坩埚底部与籽晶处需要存在一定的温差,来保证结晶的质量,通过向冷却管内循环通入冷却介质带走热量,可以确保温差,提高结晶质量。
专利名称:
一种单晶炉及其生长装置
申请号:
202323561581X
转让价格:面议
收藏
法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2024/11/12
摘要: 本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其为一种单晶炉及其生长装置,包括装置外壳,所述装置外壳的内部固定连接有气动伸缩杆,所述气动伸缩杆分布于装置外壳的侧壁及顶部,所述气动伸缩杆的延伸端固定连接有柔性按压球,所述装置外壳的内部固定连接有坩埚,所述柔性按压球与坩埚挤压贴合,所述坩埚侧壁的内部呈螺纹状固定连接有螺纹导热丝,所述装置外壳的顶部转动连接有可翻转密封框,通过设置的气动伸缩杆能够实现对坩埚的挤压固定,同时底部的气动伸缩杆能够实现坩埚的升降,通过设置的进气机构能够实现在设备停运时由吸尘风扇对设备内部进行除尘。
专利名称:
一种垂直提拉式的单晶炉
申请号:
2024208579670
转让价格:面议
收藏
法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
冶金 单晶
相似专利
发布日:2024/12/06
摘要: 本实用新型涉及单晶炉技术领域,尤其涉及一种垂直提拉式的单晶炉,内设有主箱体,主箱体上端面固定设有加热坩埚,加热坩埚成圆柱状设置,主箱体上端面转动设有升降轴,升降轴外圆面设有能上下运动的导向机架,导向机架与升降轴螺纹配合,导向机架内圆面固定设有围绕加热坩埚的环形均匀分布的多组喷火枪,主箱体上端面固定设有防护机架,防护机架上侧转动设有转动机架,转动机架内设有开口向下的滑动腔,从而喷火枪产生的火焰对于加热坩埚环形四周进行加热,从而确保了对于储存腔内多晶材料的不同角度且同时加热,从而加快了多晶材料的溶解速度,进一步提升了晶体析出的速度,进而确保了工作与生产的效率,进而确保了单晶炉的实用性。
专利名称:
一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构
申请号:
2023233779266
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2024/12/06
摘要: 本实用新型涉及碳化硅单晶技术领域,尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构,包括第一加热机构和第二加热机构,所述第一加热机构包括第一线圈筒,所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环,所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环,所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本实用新型中,通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器,加热时,可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节,可以根据不同区域进行单独调节,可调节性更强。
专利名称:
一种单晶硅双玻组件
申请号:
2022222647907
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:实用新型 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2024/11/07
摘要: 本实用新型公开了一种单晶硅双玻组件,包括电池板组件、第一玻璃板、第二玻璃板、框架组件、限位托底结构以及限位压紧结构,所述电池板组件位于第一玻璃板和第二玻璃板之间,所述第一玻璃板位于电池板组件的上方处,所述第二玻璃板位于电池板组件的下方处,所述电池板组件与第一玻璃板之间设有第一胶膜层,所述电池板组件与第二玻璃板设有第二胶膜层,所述框架组件位于电池板组件、第一玻璃板以及第二玻璃板的外部四周处。本实用新型可以有效的避免内部组件与框架组件之间出现脱落分离的情况,从而有效的避免了内部组件因风力影响而产生震动,继而有效的避免了造成内部组件的损坏而影响到其正常的使用,实用性较高。
专利名称:
一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用
申请号:
2011103210544
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
电池 硅 低 港口 单晶
相似专利
发布日:2024/01/23
摘要: 一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液,由氢氧化钠或氢氧化钾、十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)、硅酸钠、异丙醇和水混合组成,制绒液中十六烷基三甲基溴化铵的质量百分比浓度大于0.5%;该制绒液用于太阳电池单晶硅片的制绒,步骤如下:1)首先对单晶硅片实施去损伤处理;2)将上述处理后的单晶硅片放入制绒液中,在水浴加热条件下进行制绒;3)取出单晶硅片,用去离子水清洗后晾干即可。本发明的优点:在碱性制绒液中加入CTMAB且其浓度大于0.5%时,增溶作用明显,且可有效降低异丙醇的挥发性,减少制绒过程中异丙醇的使用量,同时可进一步降低了溶液的表面张力,提高太阳电池单晶硅的制绒速度。
专利名称:
一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法
申请号:
2013106525704
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
建筑材料 Zn 纳米 生长 单晶
相似专利
发布日:2023/10/17
摘要: 本发明涉及一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法,克服现有技术存在的多晶非定向问题。解决方案是:a.ZnO种子层制备,将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O和Al(NO3)3.9H2O与体积比为1:1的乙二醇甲醚和乙醇组成的混合溶剂混合,使Zn2+浓度为0.05-0.5mol/L,制备得到含有种子层的ITO玻璃基底备用;b.ZnO纳米墙生长,将Zn(NO3)26H2O与(CH2)6N4按摩尔比为1:1配制成0.025-0.05mol/L的溶液,在ITO玻璃上得到一层白色薄膜。本发明通过在种子液中加入Al(NO3)3.9H2O,可实现ZnO纳米墙定向生长;通过对ZnO纳米墙高温热处理,可实现ZnO纳米墙单晶化,对气敏传感器提供更有效的导电通道以提高电导率。
专利名称:一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅铁电单晶材料 申请号:2015106275144 转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
镁 铁电 单晶
相似专利
发布日:2023/10/17
专利名称:
一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法
申请号:
2022104187172
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
探测 钙 胺 基金 卤化物 单晶
相似专利
发布日:2023/10/17
摘要: 本发明公开了一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法,其化学式为CH3NH3PbCl3,在晶体制备过程中引入高质量籽晶,通过籽晶并在制备中采用逆温差结晶法制备CH3NH3PbCl3单晶,该方法工艺简单,晶体生长温度较低,过程可控,晶体质量高,单晶尺寸可达厘米级,且单晶具有高度的择优取向,具有良好的光电性能、大的禁带宽度、好的耐辐照特性,可以更好满足辐射探测器的应用要求,在强辐射场环境使用更具有优势。
专利名称:
一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法
申请号:
201710496489X
转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
纳米晶材料 生长 纳米棒 单晶
相似专利
发布日:2024/09/09
摘要: 本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法,以二氯化锡为锡源,硒粉为硒源,将二氯化锡和螯合剂溶解在水中,得到溶液A;将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中,获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应,即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法,通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段,完成硒化亚锡纳米晶的生长,最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶,反应温度为室温,操作简单,反应时间短,容易控制;本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶,具有较为尖锐的纳米尖端,获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。
专利名称:一种八面体结构ZnGa2O4单晶的制备方法 申请号:2012101126915 转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
Zn 单晶
相似专利
发布日:2022/02/14
专利名称:一种微波水热制备ZnGa2O4单晶的方法 申请号:2012101129167 转让价格:面议
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法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
微 微生物采样 Zn 单晶
相似专利
发布日:2022/02/14
专利名称:一种传感器单晶硅刻蚀用片架定位装置 申请号:2021222110714 转让价格:面议
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法律状态:授权未缴费 类型:实用新型 关键词:
传感器 硅 港口 单晶
相似专利
发布日:2022/01/19
专利名称:一种多珊线单晶硅太阳能电池测试装置 申请号:2020227221579 转让价格:面议
收藏
法律状态:授权未缴费 类型:实用新型 关键词:
太阳能 电池 硅 港口 单晶
相似专利
发布日:2021/08/13
专利名称:一种单晶硅棒加工设备 申请号:2020222623250 转让价格:面议
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法律状态:授权未缴费 类型:实用新型 关键词:
硅 港口 单晶
相似专利
发布日:2021/05/21
专利名称:
水热法氧化锌单晶材料合成装置及合成方法
申请号:
2016101379601
转让价格:面议
收藏
法律状态:已下证 类型:发明 关键词:
单晶
相似专利
发布日:2025/02/19
摘要: 本发明涉及水热法氧化锌单晶材料合成装置及合成方法,可有效解决用水热法合成单晶过程中系统因素调节困难,无法合成出大块体单晶的问题,技术方案是,包括调节罐、连通管和反应罐,调节罐的内腔经连通管与反应罐的内腔相连通,调节罐与反应罐的结构相同,均为密闭的中空结构,二者的内腔均设置由耐热耐化学腐蚀材料制成的罐体内衬,连通管的内侧设置有由耐热耐化学腐蚀材料制成的管体内衬,本发明方法新颖独特,简单合理,具备合成多种无机物晶体的作用,对科研、医药有着重要意义,本发明装置简单、易操作,效果好,是晶体的水热法制备上的技术创新。
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