专利名称：一种单晶金刚石的磨粒装置     申请号：2024217164309     转让价格：面议  收藏
法律状态：授权未缴费   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2025/02/28  

专利名称：一种冷却单晶炉      申请号：2024214047943     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/11/13  
摘要： 本实用新型公开了一种冷却单晶炉，包括炉体和保护壳，炉体上端面固定连接有固定环，固定环侧壁固定连接有四个周向分布的限位块，保护壳内设有上侧开口的保护腔，保护腔侧壁周向分布四个与限位块上下位置对应的滑槽，滑槽滑动连接限位块；保护壳左右两侧分别设有一个支撑板，支撑板上端面固定连接有冷却板，冷却板内设有环绕贯穿冷却板的冷却管，冷却管内通入冷却水能够对冷却板进行降温，在炉体使用完成需要降温时，通过冷却板与炉体接触，对炉体进行散热，并且通过冷却板的相互靠近和远离，能够使得冷却板靠近或远离炉体，避免在炉体使用时热量对冷却板造成损坏。

专利名称：一种单晶炉晶棒提取工装      申请号：2024206733147     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/11/12  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉取棒工装技术领域，具体为一种单晶炉晶棒提取工装，包括晶棒与外壳，外壳内开设有开腔，开腔内设有能够前后滑动的推块，推块上固设有向前延伸的拉杆，拉杆的前端固设有把手，开腔的两个后端开口处均固设有固定杆，两个固定杆上均转动连接有夹爪，夹爪向后延伸设有贴合端能够与晶棒的周面贴合，夹爪的后端转动连接有抵接轮与推块的端面抵接，固定杆与夹爪之间连接设有两个上下设置的扭筒，外壳的后端固设有支撑板，通过左右两个夹爪的后端夹持晶棒的周面，并在支撑板的支撑下，保持对不同尺寸的晶棒处的夹持，从而实现在单人作业下对不同半径型号的晶棒进行夹持工作的完成度，取棒起来更加省时省力，方便快捷。

专利名称：一种单晶硅切割机测试工作台      申请号：2022222963711     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及切割机测试装置技术领域，公开了一种单晶硅切割机测试工作台，包括底座，所述底座下端面两侧靠前后处均固定开设有安装槽，四个所述安装槽的内部均固定设置有气缸，所述底座的两侧靠前后处均固定连接有连接板，四个所述连接板内均螺纹套设有内螺纹杆，四个所述内螺纹杆的上端均固定连接有转头，四个所述内螺纹杆的下端均固定连接有吸盘，所述底座的上端面中心处固定开设有驱动槽，所述驱动槽的内部固定设置有一号驱动电机，所述一号驱动电机的输出端固定连接有转动板。本实用新型中，可以达到更好的稳定固定的作用，同时也可以达到对工作板的角度调节作用以及间距调整，具有更好的使用效果。

专利名称：一种PVT法SiC单晶生长坩埚      申请号：2023233779270     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：纳米材料 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及SiC单晶生长技术领域，尤其为一种PVT法SiC单晶生长坩埚，包括第一外坩埚、第二外坩埚和内坩埚，所述第二外坩埚顶部开设有控温孔，所述第二外坩埚内壁上成圆周阵列固定设置有第一限位条，所述第二外坩埚内部顶部内壁上固定连接有内坩埚顶座。本实用新型中，通过设置的第一外坩埚、第二外坩埚、冷却管、内坩埚底座和内坩埚顶座，通过控温孔测量结晶处的温度，并进行控制，内坩埚底部与籽晶处需要存在一定的温差，来保证结晶的质量，通过向冷却管内循环通入冷却介质带走热量，可以确保温差，提高结晶质量。

专利名称：一种单晶炉及其生长装置      申请号：202323561581X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/11/12  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其为一种单晶炉及其生长装置，包括装置外壳，所述装置外壳的内部固定连接有气动伸缩杆，所述气动伸缩杆分布于装置外壳的侧壁及顶部，所述气动伸缩杆的延伸端固定连接有柔性按压球，所述装置外壳的内部固定连接有坩埚，所述柔性按压球与坩埚挤压贴合，所述坩埚侧壁的内部呈螺纹状固定连接有螺纹导热丝，所述装置外壳的顶部转动连接有可翻转密封框，通过设置的气动伸缩杆能够实现对坩埚的挤压固定，同时底部的气动伸缩杆能够实现坩埚的升降，通过设置的进气机构能够实现在设备停运时由吸尘风扇对设备内部进行除尘。

专利名称：一种垂直提拉式的单晶炉      申请号：2024208579670     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：冶金 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其涉及一种垂直提拉式的单晶炉，内设有主箱体，主箱体上端面固定设有加热坩埚，加热坩埚成圆柱状设置，主箱体上端面转动设有升降轴，升降轴外圆面设有能上下运动的导向机架，导向机架与升降轴螺纹配合，导向机架内圆面固定设有围绕加热坩埚的环形均匀分布的多组喷火枪，主箱体上端面固定设有防护机架，防护机架上侧转动设有转动机架，转动机架内设有开口向下的滑动腔，从而喷火枪产生的火焰对于加热坩埚环形四周进行加热，从而确保了对于储存腔内多晶材料的不同角度且同时加热，从而加快了多晶材料的溶解速度，进一步提升了晶体析出的速度，进而确保了工作与生产的效率，进而确保了单晶炉的实用性。

专利名称：一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构      申请号：2023233779266     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/12/06  
摘要： 本实用新型涉及碳化硅单晶技术领域，尤其为一种用于制备碳化硅单晶的可调节热场结构，包括第一加热机构和第二加热机构，所述第一加热机构包括第一线圈筒，所述第一线圈筒上端固定连接有第一限位环，所述第一线圈筒下端固定连接有第四限位环，所述第一线圈筒表面缠绕有第一线圈。本实用新型中，通过设置的第一加热机构、第二加热机构、第一石墨加热器和第二石墨加热器，加热时，可以分别控制第一线圈和第二线圈进行加热调节，可以根据不同区域进行单独调节，可调节性更强。

专利名称：一种单晶硅双玻组件      申请号：2022222647907     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词： 单晶   相似专利 发布日：2024/11/07  
摘要： 本实用新型公开了一种单晶硅双玻组件，包括电池板组件、第一玻璃板、第二玻璃板、框架组件、限位托底结构以及限位压紧结构，所述电池板组件位于第一玻璃板和第二玻璃板之间，所述第一玻璃板位于电池板组件的上方处，所述第二玻璃板位于电池板组件的下方处，所述电池板组件与第一玻璃板之间设有第一胶膜层，所述电池板组件与第二玻璃板设有第二胶膜层，所述框架组件位于电池板组件、第一玻璃板以及第二玻璃板的外部四周处。本实用新型可以有效的避免内部组件与框架组件之间出现脱落分离的情况，从而有效的避免了内部组件因风力影响而产生震动，继而有效的避免了造成内部组件的损坏而影响到其正常的使用，实用性较高。

专利名称：一种高压亚稳相Al21Pd8单晶颗粒的制备方法      申请号：2017106228477     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：P L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种高压亚稳相Al21Pd8单晶的制备方法，所述Al21Pd8单晶的化学成分的原子配比为：Al 72‑86％、Pd 14‑28％，将高纯Al粉、Pd粉研磨混合均匀后装入硬质合金模具中，在液压压片机中2‑3MPa下加压100‑200s，制得预备块体；将预压块体装入氮化硼坩埚中；随后与预烘干的管状石墨炉体、氮化硼坩埚、氮化硼片、叶腊石片以及石墨片组装并一同放置于六面顶压机中，设定压力为3‑5GPa，加热至825‑925℃，保温30‑60min；待温度降至550‑650℃，保温2‑4h。本发明工艺简单、可操作性强、设备为常规设备、时间消耗少，配合单晶X射线衍射仪及相关软件，能够快速准确的解析出单晶结构，为进一步结构分析性能优化从晶体结构上提供支持。

专利名称：一种Al4Cu9单晶颗粒的制备方法      申请号：2017106221586     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C L LED芯片 单晶   相似专利 发布日：2024/07/05  
摘要： 一种Al4Cu9单晶颗粒的制备方法，Al4Cu9单晶的化学成分的原子配比为：Al 28‑31％，Cu 69‑72％；其制备方法主要是将高纯Al粉与Cu粉混合均匀后放入硬质合金模具中，利用粉末压片机施加3MPa压力并保持约180s来获得预制块体；将制得的预制块体放入氮化硼坩埚中，将氮化硼坩埚、管状石墨炉、石墨片、氮化硼片按顺序组装后置于六面顶压机中，压力设置在3‑5GPa之间，峰值温度控制在1100℃‑1150℃，保温30min；温度降至800℃‑950℃时保温1‑2h。本发明具有工艺简单，操作方法确实可行，实验设备较为常见等优点，生成单晶质量较好。

专利名称：一种单晶体石墨法铸件用提纯装置      申请号：202021651869X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：铸造 单晶   相似专利 发布日：2024/09/13  
摘要： 本实用新型公开了一种单晶体石墨法铸件用提纯装置，包括出料仓，所述出料仓的前端靠近底部开设有出料口，所述出料口的数量有四组，所述出料仓的内部底部设置有分料器，所述出料口的前端设置有出料槽，所述出料仓的上端设置有第一连接管，所述第一连接管的上端设置有高温仓，所述高温仓的上端设置有第二连接管，所述第二连接管的上端设置有出水仓，所述出水仓的上端设置有进料口，所述出水仓的内部设置有出水器。本实用新型所述的一种单晶体石墨法铸件用提纯装置，使用方式比较简单，通过四组出料槽进行排出，单晶体石墨通过分料器与出料槽的作用下，可以达到快速排出的目的，大大节省了排出的时间。

专利名称：一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液及应用      申请号：2011103210544     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 硅 低 港口 单晶   相似专利 发布日：2024/01/23  
摘要： 一种具有低挥发性的太阳电池单晶硅制绒液，由氢氧化钠或氢氧化钾、十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）、硅酸钠、异丙醇和水混合组成，制绒液中十六烷基三甲基溴化铵的质量百分比浓度大于0.5%；该制绒液用于太阳电池单晶硅片的制绒，步骤如下：1）首先对单晶硅片实施去损伤处理；2）将上述处理后的单晶硅片放入制绒液中,在水浴加热条件下进行制绒；3）取出单晶硅片，用去离子水清洗后晾干即可。本发明的优点：在碱性制绒液中加入CTMAB且其浓度大于0.5%时，增溶作用明显，且可有效降低异丙醇的挥发性，减少制绒过程中异丙醇的使用量，同时可进一步降低了溶液的表面张力，提高太阳电池单晶硅的制绒速度。

专利名称：一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法      申请号：2013106525704     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：建筑材料 Zn 纳米 生长 单晶   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法，克服现有技术存在的多晶非定向问题。解决方案是：a.ZnO种子层制备，将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O和Al(NO3)3.9H2O与体积比为1:1的乙二醇甲醚和乙醇组成的混合溶剂混合，使Zn2+浓度为0.05-0.5mol/L，制备得到含有种子层的ITO玻璃基底备用；b.ZnO纳米墙生长，将Zn(NO3)26H2O与(CH2)6N4按摩尔比为1:1配制成0.025-0.05mol/L的溶液，在ITO玻璃上得到一层白色薄膜。本发明通过在种子液中加入Al(NO3)3.9H2O,可实现ZnO纳米墙定向生长；通过对ZnO纳米墙高温热处理，可实现ZnO纳米墙单晶化，对气敏传感器提供更有效的导电通道以提高电导率。

专利名称：一种铌钪酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅-锆酸铅铁电单晶材料     申请号：2015106275144     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：镁 铁电 单晶   相似专利 发布日：2023/10/17  

专利名称：一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法      申请号：2022104187172     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：探测 钙 胺 基金 卤化物 单晶   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法，其化学式为CH3NH3PbCl3，在晶体制备过程中引入高质量籽晶，通过籽晶并在制备中采用逆温差结晶法制备CH3NH3PbCl3单晶，该方法工艺简单，晶体生长温度较低，过程可控，晶体质量高，单晶尺寸可达厘米级，且单晶具有高度的择优取向，具有良好的光电性能、大的禁带宽度、好的耐辐照特性，可以更好满足辐射探测器的应用要求，在强辐射场环境使用更具有优势。

专利名称：一种二维共晶有机单晶微米晶体、制备方法及其应用      申请号：2018107691210     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：微 微生物采样 单晶   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种二维共晶有机单晶微米晶体、制备方法及其应用，制备步骤如下：卤键给体分子选择含吡啶氮的寡聚苯乙烯基有机分子，卤键受体分子选择碘苯有机分子；将卤键给受体分子，加入良有机溶剂并超声数分钟，制得卤键给受体分子有机溶剂储备溶液；在室温下将卤键给受体分子有机溶剂储备溶液加入到不良有机溶剂中摇匀，然后滴在基底上，有机溶剂挥发干后获得二维有机共晶微纳米结构材料。二维共晶有机单晶微米晶体可应该用于制备多通道输入与输出的光学逻辑器件。本发明为实现二维有机微纳米晶体可控制备提供了一条新途径，并且该有机晶体能够实现不对称光子传输，从而实现了以二维有机微纳结构晶体为载体的多输入/输出通道的光学逻辑器件。

专利名称：一种低反射率单晶硅片的制绒方法      申请号：2018101582332     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 单晶   相似专利 发布日：2024/10/15  
摘要： 本发明涉及单晶硅片制备领域，公开了一种低反射率单晶硅片的制绒方法，包括：1）将壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇溶解到水中，混合均匀；2）将制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；3）将单晶硅片置入制绒液中进行制绒。本发明采用壳聚糖‑聚2‑丙烯酰胺基‑2‑甲基丙磺酸钠共聚物、甲基甘氨二乙酸钠、3‑甲氧基‑3‑甲基‑1‑丁醇、苯氧乙醇等作为制绒添加剂原料，组分绿色环保，制绒时间短，制绒后所获得的单晶硅片上四面方锥体均匀，硅片反射率低。

专利名称：一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法      申请号：201710496489X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米晶材料 生长 纳米棒 单晶   相似专利 发布日：2024/09/09  
摘要： 本发明涉及一种室温水溶液法生长硒化亚锡纳米棒锥单晶及其方法，以二氯化锡为锡源，硒粉为硒源，将二氯化锡和螯合剂溶解在水中，得到溶液A；将硒粉溶解在氢氧化钾水溶液中，获得溶液B。通过溶液A和溶液B混合反应，即可获得硒化亚锡纳米棒锥单晶。本发明采用水溶液法，通过纳米晶的成核、熟化、晶核长大三个阶段，完成硒化亚锡纳米晶的生长，最后分离得到硒化亚锡纳米棒锥单晶，反应温度为室温，操作简单，反应时间短，容易控制；本发明所生长的硒化亚锡为纳米棒锥形貌且为纳米单晶，具有较为尖锐的纳米尖端，获得的硒化亚锡纳米棒锥单晶纯度高。

专利名称：一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法      申请号：202011107174X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：铸造 底 铺设 单晶   相似专利 发布日：2022/09/30  
摘要： 本发明公开了一种底部红区短、原生位错少的铸造单晶籽晶铺设方法，包括以下步骤：将直拉单晶硅棒去除头尾、边皮、线切割得到铸造单晶籽晶，对其表面进行喷砂处理，增加其表面粗糙度；从多晶硅块或单晶硅块上切割得到厚片，对厚片表面进行喷砂，增加其表面粗糙度；在坩埚底部铺设第一厚片层；在第一厚片层上铺设铸造单晶籽晶，相邻铸造单晶籽晶之间侧面留有间隙；在每块铸造单晶籽晶上表面正中心位置铺设第二厚片层；第二厚片层上铺设厚片，厚片侧壁紧密贴合，形成第三厚片层，在第三厚片层上放置原生硅料、回收硅料等，当硅料熔化至铸造单晶籽晶层1/2位置时，制造一个垂直方向的温度梯度，从底部向上逐渐凝固得到铸造单晶硅锭。