发明专利已授权

用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法

📄 申请号：CN201510206563.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-04-27

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 , C23C14_35 , C23C14_16 , C23C14_18 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料超晶格薄膜材料半导体存储技术

应用场景

相变存储器, 数据中心存储, 消费电子存储, 嵌入式存储, 高速缓存

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摘要

本发明公开了一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料利用类超晶格结构中多层界面的夹持效应，减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间、抑制晶化，在提高材料热稳定性的同时加快相变速度。本发明的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET电压比相同电压脉冲下的Ge2Sb2Te5薄膜的RESET电压低30%以上，说明本发明的GeSb类超晶格相变薄膜材料具有更低的功耗。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20181221

⏳ 专利权人的姓名或者名称、地址的变更：

20180413

✅ 授权

20151021

?? 实质审查的生效：

20150923

📄 公开

一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

当前第 / 件

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