发明专利已授权

基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器

📄 申请号：CN202211078901.3 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2022-09-05

公开号

CN115148903A

公开日

2022-10-04

申请人

南京信息工程大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L45_00

IPC 分类号

H01L45_00 , B82Y10_00 , B82Y30_00 , B82Y40_00 ,

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

神经形态计算, 类脑计算, 光电探测, 高密度数据存储, 人工智能硬件

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摘要

本发明涉及电子信息技术领域，具体是基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx薄膜阻变层的表面还涂覆有PVA涂层，本发明能够实现对信息的存储同时可以通过检测电阻和光发射强度来进行电和光的读取，并通过对阻变层施加偏压实现对忆阻器状态的调控。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20241129

⏳ 开放许可声明：

20221104

✅ 授权

20221025

?? 实质审查的生效：

20221004

📄 公开

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