基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器

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摘     要：本发明涉及电子信息技术领域，具体是基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器，包括键合有硅片的玻璃基板，所硅片的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成氧化铟锡膜，所述氧化铟锡膜的表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有铝膜，且铝膜为多孔氧化铝结构，所述铝膜的孔洞内填充有第一金纳米线，所述铝膜的上表面采用纯氩气磁控溅射沉积而成有TaOx薄膜阻变层，所述TaOx薄膜阻变层的表面电沉积有多个间隔设置的第二金纳米线，所述TaOx薄膜阻变层的表面还涂覆有PVA涂层，本发明能够实现对信息的存储同时可以通过检测电阻和光发射强度来进行电和光的读取，并通过对阻变层施加偏压实现对忆阻器状态的调控。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2024/11/29	开放许可声明	IPC(主分类): H01L 45/00 声明编号: XK2024980011385 专利号: ZL 202211078901.3 申请日: 2022.09.05 专利权人: 南京信息工程大学 联系方式: 联系人姓名：王超 邮编：210044 地址：江苏省南京市宁六路219号南京信息工程大学 电子邮箱：zhuanli@nuist.edu.cn 电话：025-58731284 发明名称: 基于TaOx的金纳米周期性线阵列的可调控光电忆阻器 使用费支付方式: 一次付清 使用费支付标准: 采用一次总付的方式，在合同生效后5日内一次性全额支付所有使用费20000元。 授权公告日: 2022.11.04 许可期限届满日: 2025.07.28 生效日期: 2024.11.29
  2022/11/04	授权
  2022/10/25	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 202211078901.3 申请日: 2022.09.05
  2022/10/04	公开

• 申请号	专利名称	发布日期
  2016107940924	【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  201511030291X	【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法	2025/08/26
  2016107888465	【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2017107673843	【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法	2025/08/26
  2017112952697	【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法	2025/08/26
  2017107553409	【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2015103173134	【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2015100677007	【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法	2025/08/26
  2016106203738	【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法	2025/08/26
  2016108891713	【发明】一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用	2025/08/26