Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法

摘     要：一种Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法，其步骤依次为对N‑/N+型SiC外延片表面清洗；在CVD炉中进行分层掺杂；刻出P‑base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P+接触区域并进行高温Al离子注入；在N‑/N+型SiC外延片表面形成碳保护膜；高温离子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；SiO2绝缘层生长；底部漏电极生长；涂剥离胶、光刻胶、刻出源接触孔，进行源金属淀积，并剥离形成源图形；源漏电极退火；栅电极的形成；栅、源互连电极形成。本发明可以有效提高垂直功率MOS器件的沟道有效迁移率，减小器件的阈值电压，改善垂直功率器件的导通特性。

著 录 项： 

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注