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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201510659737.9 | 专利名称： | Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法 |
| 申请日： | 2015-10-14 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L29/66 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 76 | 所属领域： | C IC L 器件专利转让搜索 |
摘 要：一种Delta沟道掺杂SiC垂直功率MOS器件制作方法，其步骤依次为对N‑/N+型SiC外延片表面清洗；在CVD炉中进行分层掺杂；刻出P‑base区并高温Al离子注入；刻出N+掺杂源区并高温N离子注入；刻出P+接触区域并进行高温Al离子注入；在N‑/N+型SiC外延片表面形成碳保护膜；高温离子注入退火；表面碳膜去除；酸清洗；SiO2绝缘层生长；底部漏电极生长；涂剥离胶、光刻胶、刻出源接触孔，进行源金属淀积，并剥离形成源图形；源漏电极退火；栅电极的形成；栅、源互连电极形成。本发明可以有效提高垂直功率MOS器件的沟道有效迁移率，减小器件的阈值电压，改善垂直功率器件的导通特性。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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