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摘 要:本发明提供一种MIM电容器的制作方法。所述MIM电容器的制作方法包括以下步骤:提供绝缘介质,在所述绝缘介质表面形成第一沟槽;对所述具有所述第二沟槽的绝缘介质进行第一次高温快速热退火;在所述绝缘介质的第一沟槽所在一侧形成氧化硅层,使得所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面也形成与所述第一沟槽对应第二沟槽;对所述氧化硅层进行真空高温快速退火使得所述第二沟槽的拐角处变光滑;采用腐蚀性溶液对所述氧化硅层远离所述绝缘介质的表面进行处理增加氧化硅层的表面粗糙度;在所述已增加表面粗糙度的氧化硅层上形成缓冲金属层及电容结构。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711350246.1 | 专利名称: | MIM电容器的制作方法 |
申请日: | 2017-12-15 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/64搜分类 集成电路 电极结构搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2020/08/11 | 授权 | |
2020/07/31 | 专利申请权的转移 | 登记生效日: 2020.07.14 申请人由深圳市晶特智造科技有限公司变更为温州曼昔维服饰有限公司 地址由518000 广东省深圳市宝安区福永街道和平社区骏丰工业区A3栋一楼变更为325000 浙江省温州市鹿城区府东路上堡公寓10幢1604室 |
2018/06/26 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 23/64 专利申请号: 201711350246.1 申请日: 2017.12.15 |
2018/06/01 | 公开 |