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摘 要:一种铝镓有机源混溶式自限制性表面吸附反应制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法,Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料生长在衬底材料上,采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到,所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1-x)O3薄膜材料的方法,可以实现Bi(AlxGa1-x)O3薄膜生长厚度的精确可控,且Bi(AlxGa1-x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1-x)O3为无铅材料,使其成为Pb(Zr1-xTix)O3的潜在替换者。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201510765158.2 | 专利名称: | 有机源混溶式制备铝镓酸铋薄膜的方法 |
申请日: | 2015-11-11 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | 搜分类 纳米薄膜 薄膜材料 半导体工艺搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2017/09/22 | 授权 | |
2016/04/20 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C23C 16/52 专利申请号: 201510765158.2 申请日: 2015.11.11 |
2016/03/23 | 公开 |