发明专利已授权

一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法

Name: 一种SiC薄膜制备装置以及在低真空度下制备SiC薄膜的方法
Brand: 洛阳理工学院
SKU: 2016103597757
Availability: InStock

📄 申请号：CN201610359775.7 📄 发布日：2026/11/10

著录项目信息

申请日

2016-05-27

申请人

洛阳理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_32

IPC 分类号

C23C16_32 , C23C16_48 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料薄膜沉积碳化硅材料

应用场景

半导体器件, 功率器件, 集成电路, 光电子器件, 薄膜材料

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摘要

本发明涉及一种SiC薄膜制备装置以及SiC薄膜的制备方法，制备装置包括CVD反应炉和前驱体炉，CVD反应炉内部设置有加热台，侧壁开设有两个石英窗，外部对应两个石英窗分别设置有激光发射器和高温计，CVD反应炉顶部进气口通过喷嘴和管路分别连接至氩气源和前驱体炉，且与氩气源连接的管路上设置有控制阀Ⅰ，与前驱体炉连接的管路上设置有控制阀Ⅱ。制备SiC薄膜的方法：(1)、SiC膜制备前清洗准备工作；(2)、SiC膜制备前设备调整工作；(3)、SiC膜制备及制备后的调整。本发明制备SiC薄膜的方法，其薄膜的生长速率高，所需的真空度要求低，同时沉积温度较常规手段要低，制作成本低，便于推广利用。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号：

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20190503

✅ 授权

20160824

?? 实质审查的生效：

20160727

📄 公开

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议价

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：3 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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