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一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法

Name: 一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法
Brand: 江南大学
SKU: 201710348391X
Availability: InStock

📄 申请号：CN201710348391.X 📄 发布日：2026/11/10

著录项目信息

申请日

2017-05-17

公开号

CN107287578A

公开日

2017-10-24

申请人

江南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_448

IPC 分类号

C23C16_448 , C23C16_455 , C23C16_30 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料二硫化钼薄膜化学气相沉积

应用场景

半导体器件, 光电器件, 柔性电子, 传感器, 催化材料

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摘要

本发明涉及一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法，包括以下步骤：将生长衬底所在管式炉高温区的温度加热到第一预设温度并保温一段时间，生成第一层单晶二硫化钼薄膜；将温度升高，在升温过程中引入少量具有轻微刻蚀作用的气体，使第一层二硫化钼薄膜停止生长并修复其表面缺陷；将生长衬底所在高温区的温度加热到第二预设温度并停止引入刻蚀气体，保温一段时间，使第二层单晶二硫化钼薄膜在第一层薄膜表面生长，其中，第二预设温度保温时间大于第一预设温度保温时间；最终系统自然降到室温。本发明通过这种两阶段生长法，可在生长衬底上获得大范围均匀双层二硫化钼薄膜，具有工艺简单、成本低、产率高、适合大面积生产等优点。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN107287578A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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议价

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