发明专利 已授权

一种基于深度学习的片上变压器逆向设计方法

📄 申请号:CN202510054876.2 📄 发布日:2026/09/16

著录项目信息

申请日
2025-01-14
公开号
CN119808591B
公开日
2025-09-30
申请人
武汉大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

芯片设计, 射频电路, 电源管理, 无线通信, 模拟集成电路

摘要

本发明公开了一种基于深度学习的片上变压器逆向设计方法,涉及人工智能技术领域,旨在解决现有技术中片上变压器的设计多采用正向设计流程,效率低下等问题,其包括获取待设计片上变压器的电学参数;将待设计片上变压器的电学参数作为输入,基于S参数拟合神经网络模型输出得到待设计片上变压器的二端口S参数序列;将待设计片上变压器的二端口S参数序列作为输入,基于几何参数生成神经网络模型输出得到待设计片上变压器的几何参数;根据待设计片上变压器的几何参数结合制造工艺完成片上变压器的设计。本发明实现了从片上变压器电学参数到几何参数的逆向设计,提高了设计效率,为芯片设计者提供了有效参考。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN119808591B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:9 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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