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一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法

Name: 一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2025104778744
Availability: InStock

📄 申请号：CN202510477874.4 📄 发布日：2026/08/17

著录项目信息

申请日

2025-04-16

公开号

CN120373234B

公开日

2026-02-10

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_36

IPC 分类号

G06F30_36 , H10D30_47 , G06N3_126 , G06N3_006 ,

技术画像

所属领域

射频整流电路射频整流电路功率变换电路无线能量传输

应用场景

射频能量采集, 无线供电, 物联网设备供电, RFID供电, 无线传感器网络

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摘要

本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率，通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系，得到整流效率和输出电容之间的关系式，在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗，从而得到对应的输出阻抗设计空间；依据理论阻抗设计空间，使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理，在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移，并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化，使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率，还可以提高设计的准确度和效率。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN120373234B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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