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本发明公开了一种多晶面结构的RESURF GaN基HEMT及其制备方法，属于半导体功率器件技术领域；该器件从下到上依次包括衬底层(101)、GaN缓冲层(102)、掩膜层(103)、复合沟道结构(104)、源极(105)、漏极(106)、p‑NiO层(107)、p+‑NiO层(108)和栅极(109)；通过控制GaN的晶面取向和外延生长条件，形成特定结构的三维GaN台面，从而有效避免刻蚀损伤；同时，p‑NiO层(107)与复合沟道结构(104)中的2DEG相互耗尽，显著优化电场分布，提升击穿电压，并通过复合沟道结构(104)的多沟道设计有效降低导通电阻。

本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变复合势垒结构的GaN HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层上方连接有AlGaN背势垒层，所述AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本发明与传统固定组分势垒器件相比，GaN组分渐变复合势垒器件在AlGaN和GaN材料之间的线性错位和晶格散射更小，能够提升器件的电学性能，由于GaN的肖特基势垒较低，传统固定组分势垒器件栅极泄漏电流较大，本发明的沟道从GaN组分渐变到AlGaN，能够产生更高的势垒高度并形成浓度更高、范围更宽的三维电子气，使器件具有更好的跨导平坦度，提高器件的线性度，带来更好的输出性能表现。

本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有组分渐变的背势垒结构的GaNHEMT器件，包括SiC衬底层，SiC衬底层的上方连接有GaN缓冲层，GaN缓冲层上方连接有第一AlGaN背势垒层，第一AlGaN背势垒层的上方连接有GaN沟道层。本实用新型通过引入组分渐变的背势垒层，有效地增强沟道中的电子约束，抑制器件短沟道效应，改善器件的直流特性，进而提高GaN基HEMT器件的功率特性。面对背势垒结构带来的界面散射问题，渐变组分背势垒结构相较于固定组分背势垒结构能减小界面散射与寄生参数，减少了对GaN主沟道的影响，提升了器件小信号与大信号特性。

本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有倾斜场板结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化，且所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述栅极引入有场板。本实用新型通过引入场板结构，分散了栅极边缘的电场线，栅极边缘的电场强度也得到有效降低，使得耗尽层中的电场分布更加均匀，从而减少了电子隧穿到表面陷阱的可能性，进一步阻碍了虚栅效应的形成，有效减少了器件的电流崩塌现象。

本实用新型属于半导体功率器件制造领域，具体为一种具有T型栅结构的GaN基HEMT器件，包括衬底层，所述衬底层的上方连接有缓冲层，所述缓冲层的上方连接有AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方连接有GaN帽层，所述GaN帽层的左右两侧相对连接有源极与漏极，所述GaN帽层顶部连接有栅极，栅极与GaN帽层之间形成肖特基接触；所述GaN帽层的顶部连接有SiN钝化层，SiN钝化层左右布设在栅极两侧，且与栅极之间具有一段距离；所述栅极包括栅帽，所述栅帽的中心位置固定连接有栅脚，且栅帽与栅脚之间相互垂直。本实用新型通过设置的栅极结构，通过小基足构成短栅长，同时用大横截面积，最小化栅极电阻和极间电容Cgd，从而能够提高器件的频率特性。