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本发明提供一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法。本发明在GaN晶体管基整流器的基础上考虑GaN晶体管输出电容的耗散功率,通过建立耗散功率和GaN晶体管输出电容之间的关系,得到整流效率和输出电容之间的关系式,在不同的输入功率下得到不同的输出阻抗,从而得到对应的输出阻抗设计空间;依据理论阻抗设计空间,使用分支传输线设计输出匹配网络和输入匹配网络。根据逆时二元性原理,在漏极和栅极之间加入相移网络来实现自同步整流器。设定整流器的射频输入信号和栅极输入信号在两个目标频率下相移,并依此完成相移网络的设计。通过基于差分进化策略的改进型多目标粒子群算法对输出匹配网络、输入匹配网络、相移网络进行优化,使得设计的整流器能在大输入功率宽动态范围内保持较高的效率,还可以提高设计的准确度和效率。
📄 2025104778744 📂 G06F30_36 👤 杭州电子科技大学 📅 2025-04-16
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发明 已授权

一种宽输入功率范围双频晶体管基整流器的设计方法

2025104778744 · 杭州电子科技大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年