发明专利已授权

半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法

📄 申请号：CN202410982721.0 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2024-07-22

公开号

CN119047395B

公开日

2025-10-21

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_367

IPC 分类号

G06F30_367

技术画像

所属领域

半导体异质结半导体器件异质结器件参数提取半导体异质结

应用场景

半导体器件建模, 集成电路设计, 器件仿真, 射频器件, 功率器件

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摘要

一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种电解合成丁二酸石墨电极固定床柱塞流反应器

当前第 / 件

一种上下料机械手安全区快速在线示教方法

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