专利交易市场

一种半导体异质结IV输出扭曲效应的模型及参数提取方法，该方法基于一个电路模型用来描述窗口层导带势垒对异质结IV特性的影响，所述的电路模型包含三个二极管，即描述PN结中P区和N区耗尽区所对应的两个光二极管以及描述异质结界面窗口层导带势垒导致的旁路二极管。本发明能够利用特征指标对电池出现扭曲效应的原因进行快速归类，然后利用特征指标和材料参数的对应关系定位出现扭曲效应的原因，指导生产或研发工艺的改进。

本发明一种双功能P‑N异质结及其制备方法和应用，属于气敏、催化双领域，技术涉及静电纺丝及水热，特别是一种利用静电纺丝技术及水热制备气敏、催化双功能异质纳米复合材料MoS2‑SnO2的制备方法，包括（1）将锡盐和表面活性剂溶于乙醇和N‑N二甲基甲酰胺制备出纺丝前驱液；（2）用静电纺丝技术将前驱液纺制成丝，高温煅烧得到SnO2纳米管；（3）将制备的SnO2、一定量的钼盐和硫源混合搅拌并高温水热一段时间即可得到双功能异质纳米复合材料MoS2‑SnO2；（4）将异质纳米复合材料MoS2‑SnO2用于气敏性能测试和4‑NP的催化还原测试。本发明样品制备简单，纳米片状二硫化钼垂直生长在纳米管氧化锡的表面，形成了三维的异质结构，在气敏及催化还原4‑NP双领域都有较优异的性能。