发明专利 已授权

一种晶体生长炉的模型构建方法和电子设备

📄 申请号:CN202510772230.8 📄 发布日:2026/07/24

著录项目信息

申请日
2025-06-11
公开号
CN120296999B
公开日
2025-08-19
申请人
西安交通大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体单晶制备, 光伏硅片制造, 晶体材料生产, 工业设备数字化仿真, 智能制造工艺优化

摘要

本发明提供了一种晶体生长炉的模型构建方法和电子设备,涉及晶体生长技术领域,该方法包括:根据加热器,构建与加热器对应的第一三维图形;根据与加热器配合设置的电极以及加热器的第一中心轴线与电极的第二中心轴线之间的第一距离,构建与电极对应的第二三维图形;根据第一三维图形构建加热器对应的二维加热器模型,根据第二三维图形构建电极对应的二维电极模型;获取加热器的第一功率密度和电极的第二功率密度;将第一功率密度加载到二维加热器模型,将第二功率密度加载到二维电极模型;基于二维加热器模型和二维电极模型对晶体生长炉进行数值模拟。本发明实施例提高了对晶体生长炉进行数值模拟得到的模拟结果的准确性。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:33 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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