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本发明公开了一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法，属于二维材料制备技术领域。包括以下步骤：S1、构建基底材料模型；S2、获得不同边界的hBN纳米带；沿hBN纳米片的扶手椅型BN(BNac)、扶手椅型NB(NBac)、富硼“Z”字型(Bzz)及富氮“Z”字型(Nzz)四种边界剪切，获得不同边界hBN纳米带；S3、构建hBN纳米片或氢钝化hBN纳米片模型；S4、确定最佳的可融合成单晶hBN纳米片的模型；S5、确定氢压范围。本发明基于第一性原理模拟圆形hBN晶粒融合形成单层hBN单晶薄膜的生长过程，确定最适合融合的hBN晶粒边界，明确氢压在制备过程中的作用，对制备出大面积、高质量的单层单晶六角氮化硼薄膜具有重要的科学意义。

本实用新型公开了一种氧化炉内惰性气体喷淋装置，其包括：进气管接头、第一喷淋管和第二喷淋管，所述第一喷淋管同心设置在第二喷淋管中，所述进气管接头垂直贯穿第二喷淋管并与第一喷淋管相连接，所述第一喷淋管顶部间隔设置有第一喷淋孔，所述第一喷淋管两侧分别设置有延伸至第二喷淋管内壁的喷淋板，所述喷淋板上间隔设置有第二喷淋孔，所述第二喷淋管底部设置有沿长度方向延伸的喷淋口。本实用新型所述的氧化炉内惰性气体喷淋装置，提升了惰性气体喷淋的均匀性，而且结构相对简洁，加工难道低。