发明专利已授权

一种通过磁场控制α-Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法

📄 申请号：CN202110270574.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-03-12

公开号

CN113088926A

公开日

2021-07-09

申请人

江苏师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_448 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

磁场控制半导体薄膜沉积掺杂工艺宽禁带半导体材料磁场控制

应用场景

功率半导体器件, 深紫外光电器件, 射频器件, 电力电子, 半导体研发制造

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摘要

一种通过磁场控制α‑Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法，薄膜化学式为Ga(2‑x)R为xRO33+，掺0.杂02G≤a3x+≤位0的.2原0，子x百分含量，R为Fe、Co、Ni中的一种；该系统包括电磁铁、液位控制装置、反应腔、雾化装置、尾气处理装置，电磁铁固定在反应腔右端，液位控制装置与雾化装置相连，反应腔内放置有衬底，反应腔一端与雾化装置连通、另一端与尾气处理装置连通；雾化装置内盛放有前驱体溶液，雾化装置顶端通过载气控制系统与载气瓶相连。本发明通过加装电磁铁，使掺杂的磁性粒子吸附至反应腔体右端，通过控制电磁铁功率来控制沉积在衬底上的磁性离子浓度，实现实时控制薄膜中的掺杂浓度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种气泡混凝土砌块加工工艺

当前第 / 件

一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_40)

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