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一种Mist-CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α-Ga2O3薄膜的方法

📄 申请号：CN202110268192.4 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-03-12

公开号

CN113088925B

公开日

2022-03-25

申请人

山东国镓晶谷半导体科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_448 ,

技术画像

所属领域

化学气相沉积化学气相沉积氧化镓薄膜半导体掺杂

应用场景

功率半导体器件, 光电器件, 紫外探测器, 高频电子器件

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摘要

一种Mist‑CVD化学气相沉积法制备ZnS掺杂α‑Ga2O3薄膜的方法，薄膜组分如下式所示：α‑Ga2O3:x％ZnS，0.01≤x≤0.5；将C15H21O6Ga、C2H6Zn、CH4S溶于去离子水中配成前驱体溶液，加入盐酸溶液；将蓝宝石衬底依次用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗，用氮气吹干后在管式炉中退火；将蓝宝石衬底置于反应腔中；向反应腔中通入氮气；将前驱体溶液放置于雾化罐中，反应温度为300‑400℃，将氮气作为载气，将雾化罐中的雾滴送进反应腔内进行沉积得薄膜初品；将薄膜初品放入管式炉中退火后得到薄膜。该方法不仅能降低薄膜的生长温度，还能提高了薄膜的自由电子浓度和电导率。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种通过磁场控制α-Ga2O3掺杂浓度的薄膜沉积系统及方法

当前第 / 件

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同领域国内专利 · IPC: (C23C16_40)

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