发明专利已授权

一种超晶格材料及其制备方法和应用

Name: 一种超晶格材料及其制备方法和应用
Brand: 电子科技大学广东电子信息工程研究院
SKU: 2019103544414
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910354441.4 📄 发布日：2026/07/02

著录项目信息

申请日

2019-04-29

公开号

CN110029315B

公开日

2020-01-31

申请人

电子科技大学广东电子信息工程研究院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_28

IPC 分类号

C23C14_28 , C30B19_12 , C23C14_08 , C30B23_02 , C23C14_35 ,

技术画像

所属领域

超晶格材料超晶格材料半导体材料薄膜制备技术

应用场景

光电器件, 半导体器件, 红外探测器, 量子阱激光器

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摘要

本发明涉及超晶格磁光材料技术领域，尤其涉及一种超晶格材料及其制备方法和应用。根据实施例的记载，本发明提供的超晶格材料同时具有亚铁石榴石材料较好的磁性能和石墨烯等二维半导体材料良好的光电吸收特性，测试得到的磁光克尔效应数据表明，本发明所述的超晶格材料在2500Oe磁场下的饱和磁光克尔角为13mdeg，相比较未插入二维材料的非超晶格亚铁磁性薄膜材料，其磁光克尔角提高了2.5倍，实现了磁光效应的增强。

常见问题

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是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN110029315B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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