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本发明涉及一种双波长激光诱导周期性氧化铈表面纳米结构的制备方法，其包括，在掺铌钛酸锶衬底上脉冲激光沉积氧化铈薄膜的过程；引入紫外波长激光对所述氧化铈薄膜进行辐照退火的过程，得到致密氧化铈薄膜；以及，引入红外波长激光诱导所述致密氧化铈薄膜的表面形成周期性纳米结构的过程。本发明具有提高氧化铈表面周期性纳米结构的均匀性的优点。

本发明公开了一种II型GaSb/In0.53Ga0.47As量子点超晶格材料及其生长方法，该超晶格材第一层为生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As缓冲层，第二层为GaSb量子点，第三层为In0.53Ga0.47As缓冲层，第四层为GaSb量子点；其生长方法为先在InP衬底表面生长缓冲层后，生长4～5ML GaSb量子点，再生长缓冲层，最后再生长4～5ML GaSb量子点；本发明实现了采用MBE技术在InP衬底上以S‑K模式生长获得GaSb/In0.53Ga0.47As量子点，其形貌质量好、光学性能佳；本发明方法有效避免了As‑Sb互换，显著降低了晶格失配度和Ga原子迁移。

一种连接夹具及磊晶生长装置，涉及磊晶晶圆的制造设备技术。该连接夹具包括本体和至少两组呈间隔分布于本体上的驱动组件，本体用于连接于磊晶生长装置的下圆盖远离上圆盖的一端，驱动组件包括连接件和设于本体内的驱动件，其中，连接件被配置于磊晶生长装置的旋转升降机构上，且连接件的一端伸出于旋转升降机构之外并与驱动件传动连接，驱动件用于驱动连接件运动，以调节旋转升降机构与本体之间的夹角。该连接夹具能够便于对磊晶生长装置的升降旋转机构进行微调，从而调节晶圆在腔室内的位置，以利于磊晶膜的生长。该连接夹具能够便于对磊晶生长装置的升降旋转机构进行微调，从而调节晶圆在腔室内的位置，以利于磊晶膜的生长。