发明专利已授权

一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法

📄 申请号：CN201711222641.1 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2017-11-28

公开号

CN107974667A

公开日

2018-05-01

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_455

IPC 分类号

C23C16_455 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

原子层沉积原子层沉积薄膜沉积工艺半导体制造工艺

应用场景

半导体集成电路制造, 先进封装, MEMS器件制造, 薄膜材料制备, 微电子器件加工

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摘要

本发明揭示了一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法，通过ALD制程沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用的时序式ALD制程的前驱体临界脉冲宽度；在该方法中，ALD前驱体气体脉冲宽度t可被控制地改变：前驱体A气体脉冲宽度t从短到长逐渐增大，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个前驱体A气体脉冲宽度t的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到每次薄膜质量增加量Δm与前驱体气体脉冲宽度t的函数关系，分析所得到的Δm与t的函数关系来确定所采用时序式ALD制程的ALD前驱体A临界脉冲宽度。整个测定过程只需要沉积一个薄膜样品即可测定前驱体临界脉冲宽度，所需消耗的前驱体也极大地减少，测试时间大大缩短。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250613

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20231219

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20230901

?? 专利权的转移：

20190816

✅ 授权

20180525

?? 实质审查的生效：

20180501

📄 公开

一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法

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