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一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法

Name: 一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法
Brand: 南通大学
SKU: 2017112222482
Availability: InStock

📄 申请号：CN201711222248.2 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2017-11-28

公开号

CN107974666A

公开日

2018-05-01

申请人

南通大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_455

IPC 分类号

C23C16_455 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

原子层沉积技术原子层沉积技术半导体制造工艺薄膜沉积工艺

应用场景

半导体晶圆制造, 集成电路制造, ALD工艺开发, 薄膜沉积工艺优化, 先进封装

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摘要

本发明揭示了一种快速测定时序式ALD制程的ALD-window的方法，通过时序式ALD工艺沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用工艺的ALD-window；在所述ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T可被控制地改变；在沉积薄膜样品所使用的ALD设备中，配置有用于实时监控ALD沉积得到的薄膜的质量m的QCM，在ALD-window测定过程中，薄膜的ALD沉积温度T从低温到高温逐渐升高，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个沉积温度下的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到Δm与T的函数关系，分析所述Δm与T的函数关系来确定所采用工艺的ALD-window。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN107974666A

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种壳-核结构的siRNA仿病毒递送系统及应用

当前第 / 件

一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法

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