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本发明公开了一种ALD镀膜设备，包括进料装置、镀膜装置，所述进料装置包括升降液压缸、密封圆板，电机安装槽，电机，转轴，载料台，样品槽，弹簧，屏蔽罩，弹簧固定板，所述镀膜装置包括外腔体，内腔体，前躯体存储器，导管，匀气圆板，进气法兰，出气法兰，所述升降液压缸安装在外腔体底面，密封圆板固定在升降液压缸的活塞杆上，电机安装槽与密封圆板固定连接，电机固定在电机安装槽内部，电机转子通过联轴器与转轴相连，载料台固定在转轴上，所述前躯体存储器固定在外腔体侧面，进气法兰和出气法兰均安装在外腔体侧面，与外腔体和内腔体侧面的通孔相连。将待镀样品固定在样品槽内部，通过电机旋转依次对样品进行如下循环操作：通入前躯体A,吹扫氮气，通入前躯体B,吹扫氮气，整个镀膜过程高效有序。

本发明揭示了一种快速测定时序式ALD前驱体临界脉冲宽度的方法，通过ALD制程沉积单独一个薄膜样品即可确定所采用的时序式ALD制程的前驱体临界脉冲宽度；在该方法中，ALD前驱体气体脉冲宽度t可被控制地改变：前驱体A气体脉冲宽度t从短到长逐渐增大，通过QCM测量所得到的薄膜在每一个前驱体A气体脉冲宽度t的指定沉积循环中的质量改变量Δm，最终得到每次薄膜质量增加量Δm与前驱体气体脉冲宽度t的函数关系，分析所得到的Δm与t的函数关系来确定所采用时序式ALD制程的ALD前驱体A临界脉冲宽度。整个测定过程只需要沉积一个薄膜样品即可测定前驱体临界脉冲宽度，所需消耗的前驱体也极大地减少，测试时间大大缩短。