本发明公开了一种基于蒸发自组装制备膜片的方法，包括：向片状磁性粉体中加入PAA，以乙二醇为溶剂，并加入无水乙酸钠，进行水浴反应，再加入无水CaCl2，继续反应后收集磁粉，再加入SA，进行研磨，加入纯水和粘接剂形成浆料，最后进行蒸发自组装得到薄膜，将所得的薄膜进行热压处理，得到膜片。该方法制备的膜片中片状磁粉层状排列相对于传统方法更为平整，且片状粉体呈层状结构排列，沿Z轴的退磁因子可达到最大，可有效的克服snoek极限。因此本发明材料在高频下具有较高的磁导率，可加宽材料的实际应用频率范围。
📄 2021105847989
📂 C08J5_18
👤 浙江工业大学
📅 2021-05-27
基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法，主要用于制备半导体聚合物薄膜材料的微纳图案化，该方法包括：首先采用曝光技术在光刻胶薄膜表面制备所需聚合物薄膜微纳图案的互补尺寸；其次将未交联的PDMS材料涂在有图案的光刻胶薄膜表面，进行热交联处理后取下，光刻胶图案就转移到PDMS薄膜软模板的表面；再者将有微纳图案的PDMS薄膜放在蚕丝纤维水溶液上面，室温干燥处理后就可以制备有微纳结构的蚕丝纤维薄膜；最后将蚕丝纤维薄膜作为模板，利用纳米压印技术就可以实现不同半导体聚合物薄膜的图案化。该制备方法具有步骤简单、低成本、大面积和操作条件要求低等优点，尤其适用于刚性强或者室温图案化的有机半导体材料，具有良好的实际应用价值。
📄 2015106292718
📂 H01L21_027
👤 淮北师范大学
📅 2015-09-29
一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜的气体脉冲序列，由有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲、氧前驱体气体脉冲、惰性气体脉冲组成，在一个生长周期中，各气体脉冲数量为4的倍数且不小于12，有机铋源气体脉冲和有机铝源气体脉冲的数量之和等于氧前驱体脉冲的数量，有机铋源气体脉冲、有机铝源气体脉冲和氧前驱体气体脉冲的数量之和等于惰性气体脉冲的数量，在任意一个有机铋源气体脉冲或氧前驱体气体脉冲或有机铝气体脉冲的之前或之后，都具有一个惰性气体脉冲；在任一个有机铋源气体脉冲或有机铝气体脉冲的次邻近处，都还具有一个氧前驱体气体脉冲。可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。
📄 2017105792763
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiAlO3薄膜材料的方法，BiAlO3薄膜材料生长在衬底材料上，所述的BiAlO3薄膜材料的空间群为R3c，晶格常数为a=7.611？，c=7.942？；采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiAlO3薄膜材料的方法，可以实现BiAlO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiAlO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
📄 2015107672786
📂 C23C16_40
👤 南通大学; 史敏
📅 2015-11-11
一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
📄 2015107667082
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
一种制备组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，薄膜材料采用自限制性表面吸附反应得到。在由程序控制的每个生长周期中，设置两个计数器分别用于设定和控制每一个生长周期中有机铝源气体脉冲、有机镓源气体脉冲的数量，在逐次生长过程中，其中一个计数器的值逐渐增加，另一个计数器的值逐渐减小。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现组分渐变、跨越准同型相界的Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。
📄 2015107645030
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
本发明公开了一种(La1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将La(NO3)3·6H2O或者La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得(La1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
📄 2017106082418
📂 C25D9_06
👤 桂林理工大学
📅 2017-07-24
本发明在金属材料表面镀ZnO薄膜的方法，涉及材料表面改性领域。所述方法：将金属材料进行表面抛光处理和清洗，放入磁控溅射炉内，氧化锌置于靶位，金属材料与氧化锌的极间距为3-5 cm；将磁控溅射炉抽真空至真空度为1.0×10-4Pa-5.0×10-4Pa，充入氩气至压强为1-10 Pa，清洗和活化金属材料；充入氧气和氩气的混合气体至压强为20-35Pa，溅射功率50-80W，磁控溅射炉内的温度至320-380°C，保温；关闭电源，将磁控溅射炉内抽真空，冷却至室温出炉。该方法工艺简单，生产成本低；ZnO薄膜在磨损过程中具有明显的发光特性，且摩擦系数低、耐磨性好。
📄 2013100210221
📂 C23C14_35
👤 南京信息工程大学
📅 2013-03-08
本发明提供了一种FTO薄膜表面选择性一步制备波纹结构的方法，包括如下步骤：步骤1、FTO薄膜的预处理：取大小为2.0cm×2.0cm FTO薄膜，依次用去离子水、丙酮和乙醇浸泡样品在超声机中清洗20分钟，再用高纯氮气吹干，最后烘干，备用；步骤2、铜网辅助激光辐照FTO薄膜：将铜网放置于FTO薄膜正上方，再采用激光对铜网表面进行辐照处理，在FTO薄膜上得到波纹结构。本发明实验过程中铜网的引入，可有效在薄膜表面获得结构规则的波纹结构，而无需另外镀制铜层来制备波纹结构。
📄 201611196802X
📂 B23K26_00
👤 江苏大学
📅 2016-12-22
本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料，它的化学分子式为(Sn15Sb85)xEry；其中0
📄 201511030291X
📂 H01L45_00
👤 江苏理工学院
📅 2015-12-31
本发明公开一种热分解薄膜制备反应装置，石英管进口端的内部同轴设有一根供前驱体气溶胶通过的压缩管，石英管出口端处设有密封套，该密封套连接有尾气收集冷却组件，并在石英管出口端外面套有外冷却管；挡气块由条形连接部和遮挡部构成，其中遮挡部为n形结构，遮挡部的连接边顶部与条形连接部底端固定，该条形连接部上的条形孔中穿设有锁紧螺母。本发明设置用于水平放置衬底的沉积舟，该沉积舟具有热解反应腔，并配合第一、二阻热片和压缩管的缩口能让热解反应腔的流场、温度场恒定，从而让衬底近表面气流场、温度场恒定，同时又通过加载短波长光线和加电场的方式提高前驱体前驱体气溶胶的“活性”，最终保证热解反应的顺利进行，提高薄膜的成膜质量。
📄 2018107222025
📂 C23C16_455
👤 重庆理工大学
📅 2018-06-26
本发明公开一种电子束辅助碳基超润滑固体薄膜制备装置及方法，包括镀膜腔室、PVD靶材、样品台、待镀膜工件和电子束辅助沉积组件，所述待镀膜工件设置在所述样品台上，所述PVD靶材、所述样品台均设置于所述镀膜腔室内，所述PVD靶材和所述待镀膜工件对应设置，所述电子束辅助沉积组件提供的可控电子束设置在所述PVD靶材和所述待镀膜工件之间；本发明在镀膜工件表面附近添加一个辅助电子束源，用于控制镀膜样件表面的电子浓度和离子浓度，从而有效的抑制或控制不导电的碳基薄膜表面的电荷积累，获得微观结构与成分可控、性能显著提升的碳基超润滑固体薄膜。
📄 2020114201181
📂 C23C14_30
👤 安徽工业大学
📅 2020-12-04
发明
已授权
2021105847989 · 浙江工业大学
¥0.0 元
发明
已授权
2015106292718 · 淮北师范大学
¥0.0 元
发明
已授权
2017105792763 · 南通大学技术转移中心有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2015107672786 · 南通大学; 史敏
¥0.0 元
发明
已授权
2015107667082 · 南通大学技术转移中心有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2015107645030 · 南通大学技术转移中心有限公司
¥0.0 元
发明
已授权
2017106082418 · 桂林理工大学
¥0.0 元
发明
已授权
2013100210221 · 南京信息工程大学
¥0.0 元
发明
已授权
201611196802X · 江苏大学
¥0.0 元
发明
已授权
201511030291X · 江苏理工学院
¥0.0 元
发明
已授权
2018107222025 · 重庆理工大学
¥0.0 元
发明
已授权
2020114201181 · 安徽工业大学
¥0.0 元
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