发明专利已授权

前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法

📄 申请号：CN201510766399.9 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2015-11-11

公开号

CN105296961A

公开日

2016-02-03

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

薄膜材料薄膜材料前驱体化学半导体材料

应用场景

半导体器件, 光电材料, 压电器件, 传感器, 薄膜涂层

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摘要

前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230908

?? 专利权的转移：

20230131

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20220429

?? 专利权的转移：

20170922

✅ 授权

20160302

?? 实质审查的生效：

20160203

📄 公开

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