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前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法

📄 申请号：CN201510766400.8 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2015-11-11

公开号

CN105386006B

公开日

2017-09-22

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_52 , C30B25_16 , C30B29_22 ,

技术画像

所属领域

薄膜制备技术薄膜制备技术功能陶瓷材料铁电材料

应用场景

铁电存储器, 压电传感器, 光电器件, 微电子器件, 微机电系统

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摘要

前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626Å，b=5.081Å，c=10.339Å，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体时间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230905

?? 专利权的转移：

20220506

?? 专利权的转移：

20170922

✅ 授权

20160406

?? 实质审查的生效：

20160309

📄 公开

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