一种表面梯度薄膜的制备方法，包括表面梯度薄膜制备装置，所述制备方法还包括以下步骤：首先将真空腔室抽真空，源内的靶材通过坩埚加热或电子束加热气化，成为离散态的微观粒子，向四周扩散；在经过遮板位置时，部分微观粒子会被遮挡，通过调节遮板的大小、方向来控制经过的微观粒子的含量和扩散的主次方向；遮板可以保持一定姿态，使各个方向源的辐射强度不同，在某个方向形成线性梯度，也可以在制备过程中保持转动，使各个方向源的辐射强度均匀。本发明提供了一种通过但不仅限于气象沉积或溅射等制备工艺，使用二元到四元甚至更多元素种类的源材，在基质上制备出横向梯度线性变化，且厚度均匀的表面梯度薄膜的制备方法。
📄 2017114164640
📂 C23C14_30
👤 浙江工业大学
📅 2017-12-25
本发明提供了一种电化学法制备钛酸锶薄膜的方法，包括下列顺序步骤：(1)将金属钛片在室温下进行酸洗；(2)将酸洗后钛片用去离子水清洗干净，以金相砂纸打磨至表面呈金属光泽，分别用去离子水、无水乙醇、丙酮超声清洗，经去离子水清洗后干燥备用；(3)将上述钛片浸入到含NH4F、去离子水的乙二醇溶液中，以钛片为阳极，铂电极为阴极，室温下施加直流电进行阳极氧化；(4)以阳极氧化后钛片为阳极，铂电极为阴极，Sr(NO3)2溶液为电解液，室温下施加直流电进行反应；(5)电化学反应完成后，将样品取出，用去离子水清洗干净，再经热处理后，得到钛酸锶SrTiO3薄膜。该方法简单，钛酸锶薄膜的厚度，结构易于控制，且可以实现大面积钛酸锶薄膜的批量制备。
📄 2016109825649
📂 C25D9_06
👤 青岛科技大学
📅 2016-11-09
本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α‑HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2‑的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2‑在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。
📄 2018105292042
📂 C30B29_12
👤 西安工业大学
📅 2018-05-29
本发明涉及发光材料技术领域，具体涉及铽掺杂氧化锡薄膜及其制备方法，包括以下步骤：步骤一，将锡盐和铽盐溶解于溶剂中，得到溶液A；步骤二，将溶液A旋涂在衬底上制备成膜，并放在加热台上以第一温度加热，获得基于衬底的薄膜；步骤三，将步骤二获得基于衬底的薄膜采用快速热退火设备在第二温度下进行退火处理，获得基于衬底的铽掺杂氧化锡薄膜，其中，所述铽掺杂氧化锡薄膜为光致发光材料，所述第二温度大于所述第一温度。该方法制备工艺简单，对设备要求低，可控程度高，与传统的管式炉热处理工艺相比，该制备方法在制备过程涉及到的热预算少，且产品具有优良的光致发光性能。
📄 2021100600369
📂 C09K11_66
👤 浙江理工大学
📅 2021-01-18
本发明公开了一种近零膨胀薄膜材料，其分子式为Mn3InC1+x，由锰、锡、碳三种元素组成，其原子比基本为Mn:In:C＝3:1:(1+x),其中(x＝‑0.2～0.1),其晶体结构为钙钛矿结构。本发明所述薄膜材料在220K‑330K较宽温度范围内具有近零热膨胀性能，该材料负热膨胀性能是各向同性的，具有良好热导性，结构稳定，该材料电阻率为3.45×10‑7Ω·m，在合金材料的电阻率范围，且原料便宜，制备相对简单，在制备与使用时都非常环保。
📄 201910135033X
📂 C23C14_06
👤 盐城工学院
📅 2019-02-19
本实用新型涉及辅助设备技术领域，具体为一种薄膜显色研究用光源调整装置。本实用新型要解决的是角度调节不便和设备损耗的技术问题。为了解决上述技术的问题，本实用新型提供了一种薄膜显色研究用光源调整装置，本实用新型主要由箱体、安装座、调节机构组成，本实用新型含有的调节机构，通过将光源板安装在安装板上，将安装板在两个侧板中通过弧形槽进行滑动，从而方便快捷的进行光源的角度调节，以满足对研究使用的要求，使用更加方便；本实用新型设计巧妙，将整个光源安装好后通过滑动收纳在箱体中，对整个光源进行防护，避免在存放过程中造成损耗，并在使用时，只需将箱体通过底部的螺纹杆带动两个旋转块，从而快速有效的将箱体进行固定。
📄 2020229605376
📂 G01N21_78
👤 张莉
📅 2020-12-08
本申请涉及纳米材料技术领域，更具体地说，它涉及一种利用LB膜技术制备光制异构薄膜的方法。包括分子选择、制备方法、条件参数以及实验方法等。所述方法利用LB膜技术，以偶氮苯谷氨酰胺类两亲分子作为主体，两亲分子L‑GAZS溶于N,N‑二甲基甲酰胺中配制成0.5～1.5mmol/L浓度的有机物分散液，选择罗丹明B、藏红T和亚甲基蓝三种染料作为亚相，通过LB技术制备具有光致异构的薄膜。本发明设备和制备方法简单、易操作，反应条件温和易控制，LB技术制备的复合膜具有稳定性好、节省材料和可循环使用，可以通过改变两亲性有机分子种类、LB膜层数等条件，控制LB膜的取向程度及其应用。
📄 2023118299750
📂 B05D1_20
👤 燕山大学
📅 2023-12-28
本发明公开了一种自支撑柔性LaNiO3薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Sr3Al2O6靶材；(2)制备LaNiO3靶材；(3)清洗并刻蚀SrTiO3基片；(4)将Sr3Al2O6靶材、LaNiO3靶材和处理后的SrTiO3基片一同放入脉冲激光沉积系统，接着依次在SrTiO3衬底上外延生长出Sr3Al2O6和LaNiO3单晶薄膜；(5)在薄膜表面悬涂一层PMMA并加热，接着溶解；(6)PMMA和LaNiO3薄膜漂浮在水面上后，用Si片将其打捞并烘干；(7)将样品去除PMMA，取出后烘干，制得产品。Sr3Al2O6作为牺牲层用来得到柔性导电的LaNiO3薄膜，其具有质量高，简单快捷的特点。
📄 2021113194772
📂 C23C14_08
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2021-11-09
前驱体空间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法。一种前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应制备BiGaO3薄膜材料的方法，BiGaO3薄膜材料生长在衬底材料上，BiGaO3薄膜材料的空间群为Pcca，晶格常数为a=5.626？，b=5.081？，c=10.339？，BiGaO3薄膜材料在所选择的衬底上生长得到的择优取向为（112），采用前驱体空间分隔式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备BiGaO3薄膜材料的方法，可以实现BiGaO3薄膜生长厚度的精确可控，且BiGaO3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于各种气体的通入是连续不断、且流速恒定，薄膜的厚度仅取决于衬底转过的次数，工艺变得极为简单、可靠。
📄 2015107663999
📂 C23C16_40
👤 南通大学技术转移中心有限公司
📅 2015-11-11
本发明属于复合材料领域，具体涉及一种天青石蓝薄膜复合材料及其制备方法，包括以下步骤：将天青石蓝溶于混合溶剂中，得到制备薄膜的前驱体溶液；溶液注入电解池中，施加直流电压，将天青石蓝材料沉积到导电电极界面，获得一层均匀的纳米纤维状自组装薄膜；真空干燥后在该功能材料薄膜的表面镀上一层金属Al电极做顶电极，沉积的导电电极作为底电极，制备得到了天青石蓝薄膜复合材料。本发明利用材料本身的功能基团和外部的电场作用力，有效实现有机纳米纤维自组装薄膜的制备，有效提升材料本身的电学特性，诱导基于电信号响应的存储效应，在电存储器领域中具有可靠的应用前景。
📄 2021113551271
📂 H01L51_05
👤 苏州科技大学
📅 2021-11-16
本发明公开了一种(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜的直接制备方法。将Gd(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去离子水中配制成稀土离子总浓度为0.005~1mol/L的溶液，并在其中加入EDTA或者柠檬酸、NaOH溶液、Na2MoO4·2H2O、KCl和HNO3，混合均匀后获得电沉积溶液，置于水浴中，使其温度达到所需温度；在电沉积溶液中插入三电极体系，通过电沉积反应在在导电玻璃上沉积一层薄膜，将薄膜分别用去离子水、无水乙醇冲洗，然后置于鼓风干燥箱中干燥，再将干燥好的电沉积薄膜置于管式炉进行热处理，制得(Gd1‑xLnx)2(MoO4)3薄膜。本发明操作简单，相比于先做粉后成膜的传统方法，极大地简化了薄膜制备方法，同时避免了粉末形貌对成膜质量的影响；并且本发明提供的方法操作简单，耗时短，薄膜质量好。
📄 2017106082422
📂 C25D9_06
👤 桂林理工大学
📅 2017-07-24
本发明公开了一种稀土三氟化物LnF3薄膜及其制备方法，包括以下步骤：以稀土硝酸盐的水溶液作为电沉积溶液，采用脉冲电压沉积法制备得到稀土层状氢氧化物薄膜；将氟化物溶解获得溶液，调节pH值；将所述稀土层状氢氧化物薄膜浸没于所述氟化物溶液中，进行置换反应，得到稀土三氟化物薄膜。本发明提供的制备方法反应条件温和、操作简单，制备得到的稀土三氟化物薄膜平整且均匀，薄膜附着度高，结晶性好。
📄 201910854690X
📂 C25D9_04
👤 桂林理工大学
📅 2019-09-10
柿子坊 · 知识产权运营
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