发明专利 已授权

一种低功率的三轴亥姆霍兹线圈模型的优化方法

📄 申请号:CN202410421968.5 📄 发布日:2026/02/04

著录项目信息

申请日
2024-04-09
公开号
CN118446077B
公开日
2025-05-09
申请人
安徽建筑大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

磁场传感器校准, 电磁兼容测试, 生物医学磁测, 航空航天磁场模拟, 实验室科研仪器

摘要

本发明涉及亥姆霍兹线圈的建模技术领域,具体公开了一种低功率的三轴亥姆霍兹线圈模型的优化方法,包括:步骤S1:定义目标立方体磁场区;定义参数:均质区边长、均质区最小磁场和磁场不均匀性;步骤S2:基于粒子群算法,以磁场不均匀性最小为第一个优化目标,获取磁场不均匀性最小的前m组线圈参数;步骤S3:定义功率损耗函数f,在已获取的m组线圈参数中,以总功率损耗最小为第二个优化目标,获取总功率损耗最小、磁场不均匀性在全部参数组中最小的一组为最佳线圈参数;步骤S4:根据最佳线圈参数建立低功率的三轴亥姆霍兹线圈模型。应用本技术方案设计的三轴亥姆霍兹线圈只需消耗较低的功率就可以产生具有一定体积且均匀度较好的磁场区。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:136 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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