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全部 发明 实用新型 外观设计
法律状态： 全部 已授权 审中
项目申报： 全部 报过 没有报过
共 3 件在售专利
一种集成SBD的增强型HEMT
发明 已授权
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的电流输运能力并且减低栅介质之下宽禁带半导体形成反型层所要求的栅极电压，并且提高稳定性，同时降低实现难度，另外当源极电压为正，漏极电压为负时器件构成一个SBD，具有整流能力，当器件在感性负载电路中应用时，在关断瞬间使感性负载中反向电流从集成的SBD通路得到泄放，保护了器件和整个电路安全，提高了器件和电路稳定性。
📄 2015104833254 📂 H01L27_06 👤 电子科技大学 📅 2015-08-03
¥0.0 元
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具有低阈值电压和高击穿电压的二极管
已授权
描述了实现具有低阈值电压和高击穿电压的二极管(200，300，400)的技术。一些实施例还实现了具有可编程阈值电压的二极管器件(200，400)。例如，实施例可以将本征器件(230)与一个或多个低阈值、二极管连接的器件(220)耦合。该耦合使得低阈值器件(220)提供低阈值电压，同时被本征器件(230)保护免于击穿，有效地表现为高击穿电压。一些实现包括可选分支，通过该可选分支，本征器件(230)与多个低阈值、二极管连接的器件(220)中的任何一个可编程地耦合。
📄 2019800023663 📂 H01L27_06 👤 深圳市汇顶科技股份有限公司 📅 2019-09-03
¥0.0 元
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制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构
发明 已授权
本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0
📄 2017110570202 📂 H01L27_06 👤 重庆邮电大学 📅 2017-10-27
¥0.0 元
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发明 已授权

一种集成SBD的增强型HEMT

2015104833254 · 电子科技大学
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已授权

具有低阈值电压和高击穿电压的二极管

2019800023663 · 深圳市汇顶科技股份有限公司
¥0.0 元
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发明 已授权

制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构

2017110570202 · 重庆邮电大学
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固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
受让方：××新能源科技有限公司
交易类型：独占许可
交易金额：¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
受让方：××生物医药有限公司
交易类型：转让
交易金额：¥1,200万
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SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年
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