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一种集成SBD的增强型HEMT

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本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的电流输运能力并且减低栅介质之下宽禁带半导体形成反型层所要求的栅极电压，并且提高稳定性，同时降低实现难度，另外当源极电压为正，漏极电压为负时器件构成一个SBD，具有整流能力，当器件在感性负载电路中应用时，在关断瞬间使感性负载中反向电流从集成的SBD通路得到泄放，保护了器件和整个电路安全，提高了器件和电路稳定性。

📄 2015104833254 📂 H01L27_06 👤 电子科技大学 📅 2015-08-03

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制造双极互补金属氧化半导体器件的方法及硅基多层结构

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本发明公开了制造双极互补金属氧化半导体器件的硅基多层结构，所述硅基多层结构由下至上依次包括低掺杂单晶硅层、第一驰豫Si1-yGey层、Si1-xGex层、第二驰豫Si1-yGey层、应变Si1-rGer层及应变硅层，r、x及y为自然数，0

📄 2017110570202 📂 H01L27_06 👤 重庆邮电大学 📅 2017-10-27

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交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

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转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

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钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

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