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一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法,首先输入边界扫描测试信号,检测输出信号,检测到的输出信号与理想输出信号比较,如果二者近似程度满足要求,则停止测试,如果二者相差较大,通过内建自优化器改变芯片内各个块的背栅偏置,调节各个块内晶体管的阈值电压,通过调解后再检测输出信号,这样一直重复,直至测试输出信号与理想输出信号最大程度接近。通过边界扫描测试检测,内建自优化器调节背栅偏置可有效抑制晶体管的阈值电压偏移,从而改善晶体管的性能,达到抗辐照的功能,且本发明的抗辐照技术具有集成度高,速度快,抗辐照能力强等特点,并且成本低,工艺简单,易于实现。
📄 201410074966X 📂 H01L27_04 👤 上海新储集成电路有限公司 📅 2014-03-03
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发明 已授权

一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法

201410074966X · 上海新储集成电路有限公司
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
🧬

CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万
⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年