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本发明涉及MiniLED背光模组及显示装置，MiniLED背光模组包括：线路板、多个MiniLED芯片、多个绝缘层及光学组件，线路板设置有多个导电焊盘，每一导电焊盘包括一正极焊盘及一负极焊盘，每一MiniLED芯片具有一正电极及一负电极，每一绝缘层盖覆于一MiniLED芯片外侧，光学组件与绝缘层相互间隔设置。采用MiniLED芯片，减少了支架及金属导线的使用，节省了材料及制备工艺，通过设置有绝缘层，可以对MiniLED芯片发出的光进行很好的导出，避免采用透镜，大大降低了背光模组的组装难度，结构简单，有利于制备得到厚度小的背光模组，便于后续制备得到更加轻薄且显示效果更好的显示装置。

本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法，属于半导体光电子器件与集成技术领域，该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构，然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器，采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术，得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上，纳米LED器件发出的光，侧向耦合进波导，通过波导传输，在波导另一端被光电探测器检测到，纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度，实现高速光子集成芯片，应用于光通信和光传感领域。

本发明公开一种集成结构Micro‑LED显示器及其制备方法。包括Micro‑LED芯片阵列，芯片包括p‑Si衬底、Micro‑LED主体、两个晶体管和电容；Micro‑LED主体为台阶结构，从下到上包括：键合金属层、TiO2/SiO2DBR、ITO层、Mg掺杂p‑GaN层、Mg掺杂p‑AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、InGaN/GaN超晶格应力释放层、表面粗化的Si掺杂n‑GaN层，其中Mg掺杂p‑GaN层上表面为台阶面，主体通过键合金属层与衬底相连。该结构无需Micro‑LED的大量转移即可实现有源驱动，改善了GaN外延层的晶体质量，提高了Micro‑LED的光电性能。

一种发光二极管，其包括一透明基板及多个发光结构单元。每个发光结构单元包括N型半导体层、多量子阱活性层、P型半导体层。P型半导体层表面设置有P型接触电极，N型半导体层表面设置有N型接触电极。该发光结构单元进一步包括一从P型半导体层延伸到N型半导体层的凹陷部，该凹陷部内填充有金属材料，且该金属材料延伸至覆盖发光结构单元的表面。该金属材料分为相互绝缘的两部分，形成多个发光结构单元共同进行对外连接的两个电极。本发明通过在发光结构单元的凹陷部内填充金属材料，由于金属材料具有较好的导热性能，发光层所产生的热量能够迅速传递到金属材料中，有利于发光二极管的散热。本发明还提供了一种发光二极管的制作方法。

本实用新型公开了一种HEMT与嵌入式电极LED的混合集成器件，包括从上到下依次排列的HEMT外延衬底、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源漏栅电极、第二钝化层、键合金属层、LED的N电极、第一钝化层、Bar金属层、Ag反射层、p‑GaN层、AlGaN电子阻挡层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、第三钝化层LED的P电极；所述LED的n电极以嵌入式电极的形式均匀设置于所述器件内的孔状结构中。本实用新型可以有效提高集成器件的光效，增加HEMT器件的饱和电流，实现集成器件在大电流下的高光输出功率。

一种用于Micro‑LED巨量转移的可控分散方法及转移方法，包括分散平台，分散平台在旋转的同时进行升降或喷气，从而使放置在分散平台上的芯片做自由离心运动进而分散；a)芯片转移，将晶圆上的Micro‑LED芯片转移到橡胶承载片上；b)自由离心动作，橡胶承载片固定于离心式分散平台上，平台转动的同时进行升降或喷气，使芯片进行离心分散，经过单次或数次分散，使芯片阵列达到所需间隔和排布；c)芯片转移，将橡胶承载片上的芯片与承载基板上的焊盘对准，将芯片转移到基板的焊盘上。本方案利用Micro‑LED在分散平台做离心抛体运动的方式和倒装，实现巨量Micro‑LED的可控分散与转移。