发明专利已授权

图像传感器及其形成方法

📄 申请号：CN201910146487.7 📄 发布日：2026/01/08

著录项目信息

申请日

2019-02-27

公开号

CN109860215B

公开日

2021-01-22

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件图像传感器半导体制造工艺

应用场景

消费电子, 安防监控, 汽车电子, 医疗成像, 机器视觉

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摘要

一种图像传感器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的表面具有第一介质层；形成穿透硅通孔沟槽，所述穿透硅通孔沟槽贯穿所述半导体衬底以及所述第一介质层；形成格栅材料，所述格栅材料的一部分填充所述穿透硅通孔沟槽以形成穿透硅通孔，所述格栅材料的另一部分覆盖所述第一介质层以形成格栅材料层；在所述格栅材料层的表面形成衬垫；对未被所述衬垫覆盖的格栅材料层进行刻蚀，以形成网格状的格栅结构。本发明方案可以减少光刻工艺的数量，有效地降低制造成本。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230728

?? 专利权的转移：

20210122

✅ 授权

20190702

?? 实质审查的生效：

20190607

📄 公开

图像传感器及其形成方法

当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：78 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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