发明专利已授权

一种Ge/SiSACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法

📄 申请号：CN201510204629.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2015-04-27

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F17_50

IPC 分类号

G06F17_50

技术画像

所属领域

半导体光电器件半导体光电器件雪崩光电二极管器件建模与仿真

应用场景

光通信, 光探测, 激光雷达, 数据中心光互连

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摘要

本发明涉及一种Ge/Si SACM结构雪崩光电二极管的等效电路模型建立方法，属于半导体光电二极管技术领域。该方法基于Ge/Si异质结特性，从器件内部的物理机理上对Ge/Si SACM-APD器件进行理论分析，从APD速率方程、噪声电流、暗电流和寄生参量四部分来建立APD的等效电路模型，包括以下步骤：1)将物理模型分解为多个部分，根据每一层结构构造载流子输运方程；2)构造对应于每一部分的子电路模块；3)互联这些子电路模块，建立等效电路模型。采用本方法可以很方便地对硅基APD器件进行模拟与设计，具有较好的应用前景。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种增强型可调谐拉曼激光装置

当前第 / 件

防止铵盐结晶沉积堵塞的工艺注水喷嘴

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