发明专利 已授权

一种中心型极化拓扑畴的构建方法

📄 申请号:CN202211403487.9 📄 发布日:2026/07/07

著录项目信息

申请日
2022-11-10
公开号
CN116103615B
公开日
2024-12-20
申请人
淮阴工学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

数据存储, 铁电器件, 纳米电子学, 信息存储介质

摘要

本发明公开了一种中心型极化拓扑畴的构建方法,包括如下步骤:S1:脉冲激光沉积法制备BiFeO3薄膜样品,S2、以AAO为模板,氩离子束穿过AAO模板孔洞对薄膜进行刻蚀,获得高密度锥形“火山状”的纳米点阵列,并进行物相表征;S3、采用PFM表征对纳米点阵列获得自发的极化拓扑畴,通过PFM针尖电场写入将极化方向翻转,并对结果进行矢量PFM表征;S4、重组极化矢量获得三种不同类型的中心型极化拓扑畴。本发明构建了三种不同类型且更小的拓扑畴从而获得更高的存储密度,这种高密度、稳定、可调控的极化拓扑畴阵列可用于铁电随机存取存储器件。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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