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发明专利
已授权
一种单晶硅表面清洗方法
📄 申请号:CN202211096869.1
📄 发布日:2025/08/28
著录项目信息
申请日
2022-09-08
公开号
CN115662877B
公开日
2023-08-04
申请人
东海县太阳光新能源有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L21_02
IPC 分类号
H01L21_02
,
B08B3_08
,
B24B29_02
,
C09G1_02
,
C11D1_22
,
C11D3_04
,
C11D7_04
,
C11D7_08
,
技术画像
所属领域
单晶硅
半导体制造工艺
硅片清洗
表面处理
单晶硅
应用场景
半导体制造, 集成电路制造, 晶圆加工, 微电子器件制造, 光伏硅片制备
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摘要
本发明公开了一种单晶硅表面清洗方法,属于单晶硅表面处理技术领域,具体涉及采用非牛顿流体对单晶硅材料进行表面抛光处理,非牛顿流体由无机粉末、液体剂、增稠剂混合形成,无机粉末至少含有氧化铝或氧化铈,增稠剂至少含有聚乙烯醇,以及羧甲基纤维素钠、羟丙基甲基纤维素、羟乙基纤维素、聚谷氨酸改性物中至少一种;聚谷氨酸改性物为阳离子改性聚谷氨酸、胺醛化改性聚谷氨酸或杂化改性聚谷氨酸,阳离子改性聚谷氨酸由阳离子改性剂对聚谷氨酸改性得到,胺醛化改性聚谷氨酸由二乙醇胺、甲醛对聚谷氨酸改性得到,杂化改性聚谷氨酸由胺醛化改性聚谷氨酸与阳离子改性剂混合反应得到。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20230804
✅ 授权
20230217
?? 实质审查的生效 :
20230131
📄 公开
一种上釉方法
当前第 / 件
一种半导体切筋成型设备
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H01L21_02
H01L21_027
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覆盖
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📌 交易状态:
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