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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202021575839.5 | 专利名称: | 光刻结构和半导体结构 |
申请日: | 2020-07-31 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
专利类型: | 实用新型 | 地址: | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/027分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2021-05-14 | 转让价格: | 面议 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN213212111U | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本实用新型实施例提供一种光刻结构和半导体结构,涉及半导体技术领域。半导体结构包括光刻结构,光刻结构包括抗反射层、在抗反射层上形成的热缩材料层、在热缩材料层上形成的平坦层和在平坦层上形成的光刻胶层。这样,通过在光刻胶层的下方先涂布热缩材料层,形成的光刻结构再经过后续的曝光、显影,在光刻胶层上形成光刻图案,再经过硬烤之后,热缩材料层经过均匀收缩,能够使已形成的光刻图案进一步精细化,以便于后续工艺根据光刻图案形成更精细化的微缩图案。所以,本实用新型实施例提供的光刻结构和半导体结构能够用于形成更精细化的微缩图案,为形成微缩图案创造了结构基础,并且能够运用于利用光刻工艺制作的半导体器件中。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |