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| 专利/申请号： | CN202011198063.4 | 专利名称： | 一种离子布植方法、装置及设备 |
| 申请日： | 2020-10-30 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/265 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2022-11-04 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112289679B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 4 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
应用场景：集成电路制造中的离子注入工艺优化; 提高芯片性能与可靠性; 降低半导体器件缺陷率
摘 要：本发明公开了一种离子布植方法、装置及设备。该离子布植方法包括：提供带状离子束流；样片从带状离子束流的第一端旋转运动至带状离子束流的第二端时，控制带状离子束流对样片进行离子布植，其中带状离子束流的第一端指向第二端的方向为带状离子束流的延伸方向。本发明实施例提供的技术方案，在缩短样片离子布植时间的基础上，提高了样片表面离子掺杂的均匀度。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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