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摘 要:本发明提出了一种带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管,包括:场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区,在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板,相邻两个可调型场板之间间隔设定距离;每一个可调型场板均连接调节电容;通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸,能够调节可调型场板上的感应电荷量和感应电位,使得漂移区内获得均匀的表面横向电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面横向电场分布,具有很高的横向耐压能力和很小的导通电阻。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201711032851.4 | 专利名称: | 带有可调型场板的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管 |
申请日: | 2017-10-30 | 申请/专利权人 | 济南大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 山东省济南市南辛庄西路336号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L29/40搜分类 报警器搜索 |
公开/公告日: | 2018-02-09 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN107680997A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |