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摘 要:本发明公开了一种卟啉忆阻器,该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构,阻变层位于阳极和阴极的中间,其包含卟啉作为活性薄膜层,该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能,阻变层还包括氧化物缓冲层,以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法,包括以下步骤:首先制备所述阳极,然后在阳极上制备阻变层,随后在阻变层上制备阴极,氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成,以提高所述阻变层的质量,保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到,具有易于设计,工艺简单,器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201611186337.1 | 专利名称: | 一种卟啉忆阻器及其制备方法 |
申请日: | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L45/00搜分类 纳米材料搜索 |
公开/公告日: | 2019-08-02 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN106601909B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |