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| 专利/申请号： | CN201611186337.1 | 专利名称： | 一种卟啉忆阻器及其制备方法 |
| 申请日： | 2016-12-20 | 申请/专利权人 | 南京邮电大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L45/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-08-02 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN106601909B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 55 | 所属领域： | 纳米材料专利转让搜索 |
摘 要：本发明公开了一种卟啉忆阻器，该卟啉忆阻器为阳极、阻变层、阴极的三层结构，阻变层位于阳极和阴极的中间，其包含卟啉作为活性薄膜层，该活性薄膜层提供传输电子和离子的双重功能，阻变层还包括氧化物缓冲层，以提供离子源。本发明还提出一种制备上述卟啉忆阻器的方法，包括以下步骤：首先制备所述阳极，然后在阳极上制备阻变层，随后在阻变层上制备阴极，氧化物缓冲层通过低真空度原位方法形成，以提高所述阻变层的质量，保证含氧量低于整数比。本发明具有具有适合柔性器件、可以实现大面积、低成本制作等优点。本发明的卟啉忆阻器是由真空蒸镀制备得到，具有易于设计，工艺简单，器件产率高、输出可重复性、性能稳定以及抗饱和能力强等优势。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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| 2016107888465 | 【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
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