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24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN201910954291.0 | 专利名称： | 一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法 |
| 申请日： | 2019-10-09 | 申请/专利权人 | 黑龙江大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L45/00 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-04-09 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN112635662A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 109 | 所属领域： | 纳米材料专利转让搜索 |
摘 要：一种响应温度刺激的阻变存储器的制备方法，属于电子技术以及存储器器件技术领域。本发明为了解决现有阻变存储器无法实现外界温度刺激的响应的问题。本发明将果胶水溶液滴涂在聚对苯二甲酸乙二醇酯衬底上真空蒸镀的铝薄膜上，铝作为上电极，获得响应温度的阻变存储器。本发明制得的阻变存储器在外界温度的刺激下可实现阻变存储器三稳态到双稳态转换的特性响应，拓展了调控阻变存储器特性的手段，为实现阻变存储器的温控特性调制提供了可能，进而可以更好的应用于智能存储等新兴领域。并且本方法制备的阻变存储器的功能层所用原料为果胶，相比于使用重金属粒子掺杂得到功能层，对环境更加友好，且该阻变存储器的开关比高、性能稳定。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2016107940924 | 【发明】一种掺氮改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 201511030291X | 【发明】用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法 | 2025/08/26 |
| 2016107888465 | 【发明】氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 2017107673843 | 【发明】一种用于相变存储器的Al/Ge10Sb90类超晶格相变薄膜材料及制备方法 | 2025/08/26 |
| 2017112952697 | 【发明】一种环境友好型Sn-Sb-Ti纳米复合相变薄膜及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 2017107553409 | 【发明】一种用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 2015103173134 | 【发明】用于高速低功耗相变存储器的Ga40Sb60/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 2015100677007 | 【发明】用于相变存储器的GeSb基掺氮纳米薄膜材料及其制备方法 | 2025/08/26 |
| 2016106203738 | 【发明】稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法 | 2025/08/26 |
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