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摘 要:本发明具体涉及基于表面能作用的三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法,所述三维光子晶体的表面具有二维阵列圆柱孔,所述研究方法包括以下步骤:步骤一:建立三维光子晶体的相场模型;步骤二:建立系统表面能方程;步骤三:选定二维阵列圆柱孔的直径D和孔径距离Ds不变,不断改变圆柱孔的深度H,调整H/D的极限条件,以获取三维光子晶体的系统表面能与所形成的球形缺陷空腔的定量关系。本发明利用三维光子晶体介质粒子的热扩散运动,在系统表面能作用下实现对光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究,建立系统表面能E与球形缺陷空腔数量N之间的内在联系,为三维光子晶体内部微结构的稳定成型提供了新的思路方法。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910203517.3 | 专利名称: | 三维光子晶体内部球形缺陷定量成型的研究方法 |
申请日: | 2019-03-18 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/20搜分类 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-02-28 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109933917B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |