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摘 要:本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法,包括:定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数;调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置;建立超声温度场数学模型方程;根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数,调节超声波长以控制硅基原子的定向运动,且基于超声温度场数学模型方程,以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理,基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位,建立了超声温度场数学模型,通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小,研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理,为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910411740.7 | 专利名称: | 一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法 |
申请日: | 2019-05-17 | 申请/专利权人 | 杭州电子科技大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 浙江省杭州市经济技术开发区白杨街道2号大街1158号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/20搜分类 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 传感器 电子元器件搜索 |
公开/公告日: | 2023-02-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN110008650B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |