发明专利已授权

一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法

📄 申请号：CN201910411740.7 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-17

公开号

CN110008650B

公开日

2023-02-07

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_20

IPC 分类号

G06F30_20

技术画像

所属领域

光子晶体光子晶体光学仿真建模缺陷结构设计

应用场景

光子晶体器件, 光通信, 光学传感, 光集成电路, 激光器

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摘要

本发明涉及一种三维光子晶体内部缺陷成型定位的建模方法，包括：定义硅基三维光子晶体上的二维阵列圆柱孔的尺寸参数；调节超声波的参数变量以定位硅基三维光子晶体内部缺陷中心位置；建立超声温度场数学模型方程；根据二维阵列圆柱孔的尺寸参数，调节超声波长以控制硅基原子的定向运动，且基于超声温度场数学模型方程，以控制硅基内部缺陷的成型。本发明利用声辐射力对硅基原子的定向运动机理，基于相场模型改变声辐射力的大小来控制内部缺陷的定位，建立了超声温度场数学模型，通过改变外加超声驻波的参数来调节声辐射力大小，研究三维光子晶体内部缺陷位置的变化机理，为周期性规则排列的三维光子晶体的数值模拟提供了新的思路。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20240903

?? 专利权的转移：

20230207

✅ 授权

20190806

?? 实质审查的生效：

20190712

📄 公开

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