本发明公开了一种光子晶体逆向设计方法及谷光子晶体拓扑波导器件，方法包括：获取目标物理条件向量；利用预先训练的双阶段物理引导扩散模型进行反向扩散去噪，得到连续的灰度图像；对连续灰度图像进行硬截断二值化处理，得到谷光子晶体的二值化版图；双阶段物理引导扩散模型包括扩散主干网络和低秩适配器模块，训练步骤包括：将先验数据集输入扩散主干网络进行预训练，使扩散主干网络提取谷光子晶体晶胞的全局空间对称性特征；利用高质量样本集对所述低秩适配器模块进行微调，更新低秩适配器模块的参数。本发明能够直接在原始像素空间生成高保真的谷光子晶体版图，生成抑制锐角弯折处背向散射的Z型拓扑波导器件。
📄 2026106162040
📂 G02B27_00
👤 南京信息工程大学
📅 2026-05-07
本发明公开一种一维变换光子晶体全向反射镜的构建方法，该方法使用厚度更薄的介质构建了全向反射系数相同的一维变换光子晶体全向反射镜，其包括如下步骤：利用介质A和介质B构建原始一维光子晶体全向反射镜；通过传输矩阵法计算原始一维光子晶体全向反射镜的全向反射系数；确定压缩系数a；计算构成一维变换光子晶体全向反射镜所需的介质A'和介质B'的特性参数；确定介质A'和介质B'的材料，利用介质A'和介质B'构建一维变换光子晶体全向反射镜。本发明所构建的一维变换光子晶体全向反射镜，能够在厚度更薄的情况下实现与原始一维光子晶体全向反射镜的全向反射系数相同，为电子器件的集成化和小型化提供了一种新的方法。
📄 2023102019177
📂 G02B27_00
👤 南京信息工程大学
📅 2023-03-06
一种类Lieb光子晶格布洛赫平带的控制方法，将Lieb‑5晶格的格点根据其空间位置分成两组格点，中心格点和边缘格点，通过调整中心格点和边缘格点的相对强度比值，可以控制Lieb‑5晶格的平带在布洛赫带结构中的相对位置。所述的Lieb‑5晶格的最小周期单元包含五个格点，元胞格点分布呈现字母“L”形状，在紧束缚近似下的布洛赫带结构中存在两条完全平坦的能带。本发明在不破坏平带的平坦性的前提下，可以控制Lieb‑5晶格的平带在布洛赫带结构中相对位置。
📄 2019105109978
📂 G02B1_00
👤 浙江工业大学
📅 2019-06-13
本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法，结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构，从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体，其生长制备更加简便，并且实现了高Q值，低损耗，同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合，有利于高性能激光器的实现。
📄 202111234345X
📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
本发明公开了一种基于二氧化钛光子晶体的面发射型氮化镓基激光器及制备方法，包括蓝宝石衬底层、n-GaN层、n-AlGaN层、波导n-GaN层、n-电极、InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层、p-GaN层、p-电极、TiO2光子晶体层。本发明采用了TiO2作为光子晶体层的材料，实现了对光场模式分布的有益调控，能实现在光子晶体内的高效耦合，更有利于激光器低阈值的实现。采用了在晶片表面生长制备光子晶体层，相比传统的在晶片材料内部引入光子晶体的方法更为简单方便，降低了制备加工的难度。
📄 2020104757849
📂 H01S5_183
👤 南京邮电大学
📅 2020-05-29
本发明公开了一种三角晶格二维光子的Fano共振器，该器件由一个光子晶体腔和一个设计有反射元的光子晶体波导构成。腔结构产生Fano共振所需的离散态，而设计有反射元的光子晶体波导产生Fano共振所需的连续态，两者耦合产生非对称的Fano共振线形。本发明产生的Fano共振的消光比高达55dB，Fano共振的峰值与谷值之差仅有1.4nm，此外也具有高的Q值和低的插入损耗。该发明应用于光子集成中的光开关、光子传感器、滤波器等基础光子器件。
📄 2019106353033
📂 G02B6_122
👤 南京邮电大学
📅 2019-07-15
一种磁性光子晶体平板的自导单向边缘态传输，它涉及光子晶体技术领域，具体涉及一种磁性光子晶体平板的自导单向边缘态传输。它包含磁柱、吸波材料、同性介质材料、激励探针、接收探针，一定数量的磁柱按照蜂窝结构排列，磁柱之间由空气填充，所述吸波材料包围在磁柱蜂窝结构的外部，激励探针、接收探针设置在磁柱与磁柱之间并位于磁柱蜂窝结构的边界，所述激励探针的入射端面垂直于激励探针与接收探针的连线，上述部分固定在两块同性介质材料之间。采用上述技术方案后，本发明有益效果为：它利用磁性光子晶体平板实现完全自导的单向边缘传输。
📄 2017113153070
📂 G02B1_00
👤 淮阴师范学院
📅 2017-12-12
本发明属于微纳米制造技术领域，具体涉及一种内部球形缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法。包括：S1、在硅基光子晶体表面蚀刻规则排列的阵列微孔；S2、将蚀刻后的硅基光子晶体置于超声耦合高温成型装置，所述超声耦合高温成型装置包括高温加热器及其外部布设的超声波换能器；S3、调节超声波换能器产生的超声驻波的频率和功率，通过热‑声耦合作用成型得到内部缺陷规则排列的硅基三维光子晶体。本发明针对恒温环境下硅基光子晶体内部空腔的成型常存在形状不定和位置偏移等问题，引入超声驻波来定位内部缺陷结构成型的位置，从而实现硅基内部产生周期性规则排列的空腔结构，为高Q值的硅基三维光子晶体内部腔体位置的调控提供新的思路。
📄 2019104142644
📂 C30B30_00
👤 杭州电子科技大学
📅 2019-05-17
本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热‑电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
📄 2020105432967
📂 C30B29_06
👤 深圳万知达技术转移中心有限公司
📅 2020-06-15
本发明属于重金属离子检测技术领域，公开了一种光子晶体传感器及其制备方法，先制备具有pH响应的反蛋白石光子晶体；将反蛋白石光子晶体放入硫化钠溶液中平衡，平衡后得到基于硫化钠作用的光子晶体传感器。硫化钠在水溶液中呈碱性，水中pH升高，能够刺激具有pH响应的反蛋白石光子晶体发生响应，反蛋白石光子晶体衍射峰随之发生红移；当在含有硫化钠的溶液体系中引入重金属离子时，这些重金属离子能够与体系中的S2‑或OH‑结合发生沉淀作用使得溶液体系趋于中性，pH降低，反蛋白石光子晶体的衍射峰蓝移，因此，本发明制备的光子晶体传感器通过对重金属与硫化钠体系的沉淀作用产生的pH变化来间接实现对重金属离子的可视化检测。
📄 2021102127859
📂 G01N21_47
👤 陕西科技大学
📅 2021-02-25
本发明涉及一种能谷光子晶体结构、光波导和角态结构。本发明所述的能谷光子晶体结构通过改变圆环状硅介质柱的环宽实现能带反转，不需要变动晶胞位置具有更高的稳定性。本发明提出的光波导对左旋圆偏振光和右旋圆偏振光具有选择性，进而可实现赝自旋与能谷锁定的谷偏振光选择性耦合及传输；同时具有高效的光传输特性和抗散射鲁棒性，其传输效率，在155～173THz频率范围内均可达到98％。本发明提出的角态结构可以实现四种不同频率的拓扑角态，该四种拓扑角态不仅可以单一实现，通过结构设计还可以使得该四种拓扑角态共存于固定光子带隙中。
📄 2024105387635
📂 G02B6_122
👤 苏州城市学院
📅 2024-04-30
本发明提供了一种具有复杂晶胞的光子晶体结构及光波导，所述具有复杂晶胞是由6个子胞按照C6结构排列而成，且截面为正六边形结构；多个复杂晶胞之间边与边相邻、且呈阵列方式排列构成所述光子晶体结构。晶胞的压缩和拉伸、改变介质柱的截面直径、旋转子胞三种不同的方式，实现能带反转和拓扑相变，从而构建拓扑平庸到拓扑非平庸晶体结构。由所述晶体结构构建的光波导光子带隙更大，光子局域性能强，工作带宽内的电磁波可以沿着拓扑平庸和非平庸界面单向传输，光局域性得到增强并且背向散射被抑制，对急弯、缺陷具有强大的免疫。
📄 2022102316681
📂 G02B6_122
👤 江苏大学
📅 2022-03-09
柿子坊 · 知识产权运营
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