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一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法

Name: 一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 2019101509172
Availability: InStock

📄 申请号：CN201910150917.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-02-28

公开号

CN109811313B

公开日

2020-12-08

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C14_28

IPC 分类号

C23C14_28 , C23C14_16 , C23C14_30 , C23C14_58 , C25F3_20 , C25D11_08 , C25D11_12 , C25D11_20 , C25D11_24 , C23F17_00 ,

技术画像

所属领域

多孔氧化铝模板多孔氧化铝模板阳极氧化纳米材料制备

应用场景

纳米压印, 传感器, 过滤分离, 模板合成纳米材料, 微电子制造

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摘要

本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法，主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤：(1)高电阻率硅基片的清洗；(2)钛膜的制备；(3)铝膜的制备；(4)铝膜的退火；(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光；(6)一次阳极氧化；(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化；(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度，厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板，该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备，为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN109811313B

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种高价态Ta掺杂W型钡铁氧体吸波材料的制备方法

当前第 / 件

一种石墨烯/NiZn铁氧体气敏复合材料制备方法

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