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本发明公开一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法,主要采用两步阳极氧化法。该方法包括如下步骤:(1)高电阻率硅基片的清洗;(2)钛膜的制备;(3)铝膜的制备;(4)铝膜的退火;(5)对Al/Ti/Si薄膜的封装及电化学抛光;(6)一次阳极氧化;(7)氧化层的去除以及第二次阳极氧化;(8)通孔、扩孔处理。本发明采用特殊的封装技术在高电阻率基底上制备出较高的有序度,厚度、孔径可调的多孔氧化铝模板,该方法操作简单、成本低、能够实现高电阻率甚至非导电基底AAO的制备,为模板辅助制备纳米材料扩展了应用范围。
📄 2019101509172 📂 C23C14_28 👤 杭州电子科技大学 📅 2019-02-28
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发明 已授权

一种高电阻率基底上多孔氧化铝模板的制备方法

2019101509172 · 杭州电子科技大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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SiC功率器件工艺专利

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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
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